说明
TC4421/4422是能够驱动大MOSFET和IGBT的大电流缓冲器/栅极驱动器。它们基本上不受任何形式的干扰,除了直接过电压或过耗散——它们在其额定功率和电压范围内的任何条件下都不能被锁定;当它们的接地端子上存在高达5V的接地反弹时,它们不会受到损坏或不当操作;它们可以在没有损坏或逻辑混乱的情况下接受任何极性的超过1A的感应电流,该电流被强制返回到它们的输出中。此外,所有端子都得到充分保护,不受高达4 kV的静电放电的影响。TC4421/4422输入可以直接由TTL或CMOS(3 V至18 V)驱动。此外,输入中内置了300mV的磁滞,提供了抗噪声性,并允许设备从缓慢上升或下降的波形中被驱动。
特性
参数
类型 | 描述 |
MOSFET Driver Type | Low Side |
Configuration | Non-Inverting |
Maximum Supply Voltage (V) | 20 |
Peak Source Output (A) | 9 |
Peak Sink Output (A) | 9 |
Source Resistance (Ω) | 1.4 |
Sink Resistance (Ω) | 0.9 |
Propagation Delay t<sub>D1</sub> (ns) | 50 |
Propagation Delay t<sub>D2</sub> (ns) | 65 |
Rise Time (t<sub>R</sub>, ns) | 60 |
Fall Time (t<sub>F</sub>, ns) | 60 |
Capacitive Load Drive | 10,000 pF in 60 ns |



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