说明
MIC5019是具有集成电荷泵的高侧MOSFET栅极驱动器,设计用于在高侧或低侧应用中切换N沟道增强型MOSFET控制信号。
MIC5019在2.7V到9V的电源范围内工作,并从3V电源产生9.2V的栅极电压,从9V电源产生16V的栅电压。该设备在关闭模式下消耗的电源电流为77µa,小于1µa。
在高侧配置中,MOSFET的源极电压在导通时接近电源电压。为了保持MOSFET导通,MIC5019的输出驱动MOSFET栅极电压高于电源电压。
MIC5019采用超小型4引脚1.2 x 1.2 mm薄QFN封装,额定结温范围为-40°C至+125°C。
特性
参数
类型 | 描述 |
MOSFET Driver Type | High Side |
Configuration | Non-Inverting |
Maximum Supply Voltage (V) | 9 |
Peak Source Output (A) | .00001 |
Peak Sink Output (A) | .00001 |
Source Resistance (Ω) | 0 |
Sink Resistance (Ω) | 0 |
Propagation Delay t<sub>D1</sub> (ns) | 0 |
Propagation Delay t<sub>D2</sub> (ns) | 0 |
Rise Time (t<sub>R</sub>, ns) | 440,000 |
Fall Time (t<sub>F</sub>, ns) | 5,560 |
Capacitive Load Drive | 3,000 pF in 1.34 ms |



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