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说明
MIC5060 MOSFET栅极驱动器设计用于N沟道、增强模式和用作高端或低端开关的功率MOSFET的栅极控制。MIC5060可以无限期地维持导通状态输出。
MIC5060的供电电压为2.75 V至30 V。在高端配置中，驱动器可以控制切换高达30V负载的MOSFET。在低端配置中，使用单独的电源，最大切换电压仅受MOSFET的限制。
MIC5060具有非反相、TTL兼容的控制输入。MIC5060的特点是内部电荷泵可以维持大于可用电源电压的栅极电压。驱动器能够从2.75V电源接通逻辑电平MOSFET或从5V电源接通标准MOSFET。栅极到源极的输出电压在内部被限制为大约15V。
MIC5060可防止汽车负载转储、反向电池和-20 V的感应负载峰值。驱动器的过电压关闭功能可在大约35 V时关闭外部MOSFET，以保护负载免受电源偏移的影响。MIC5060有3 x 3 mm MLF可选®包裹
特性
参数
类型 | 描述 |
MOSFET Driver Type | High Side |
Configuration | Non-Inverting |
Maximum Supply Voltage (V) | 30 |
Peak Source Output (A) | 0.0008 |
Peak Sink Output (A) | 0.0008 |
Source Resistance (Ω) | 0 |
Sink Resistance (Ω) | 0 |
Propagation Delay t<sub>D1</sub> (ns) | 0 |
Propagation Delay t<sub>D2</sub> (ns) | 0 |
Rise Time (t<sub>R</sub>, ns) | 90,000 |
Fall Time (t<sub>F</sub>, ns) | 6,000 |
Capacitive Load Drive | 1000 pF in 60 µs |
