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MIC5018

正在供货

High Side IttyBitty™MOSFET栅极驱动器

Microchip微芯 MIC5018 产品介绍
2026-04-14 0次

说明


MIC5018 IttyBitty高侧MOSFET栅极驱动器被设计为在高侧或低侧开关应用中从TTL兼容的控制信号切换N沟道增强型MOSFET。该栅极驱动器采用小型4引脚SOT-143封装。

MIC5018由2.7V至9V电源供电,具有极低的关断状态电源电流。内部电荷泵驱动栅极输出高于驱动器电源电压,并且可以无限期地维持栅极电压。内部齐纳二极管将栅极到源极的电压限制在标准N沟道MOSFET的安全水平。

在高侧配置中,MOSFET的源极电压在导通时接近电源电压。为了保持MOSFET导通,MIC5018的输出驱动MOSFET栅极电压高于电源电压。在典型的高侧配置中,驱动器由负载电源电压供电。在某些条件下,MIC5018和MOSFET可以切换略高于驱动器电源电压的负载电压。

在低端配置中,驱动器可以控制MOSFET,该MOSFET将任何电压切换到MOSFET的额定值。栅极输出电压高于典型的3.3V或5V逻辑电源,并且可以完全增强标准MOSFET。

MIC5018有SOT-143封装,额定环境温度范围为-40°C至85°C。


特性


  • 2.7 V至9 V操作
  • 在5V电源下的150µA典型电源电流
  • 1µA典型的待机(关闭)电流
  • 用于高压侧低压应用的电荷泵
  • 内部齐纳二极管栅极对地MOSFET保护
  • 在低端和高端配置下运行
  • TTL兼容输入
  • ESD保护

  • 参数


    类型

    描述

    MOSFET Driver Type

    High Side

    Configuration

    Non-Inverting

    Maximum Supply Voltage (V)

    9

    Peak Source Output (A)

    .0000095

    Peak Sink Output (A)

    .0000095

    Source Resistance (Ω)

    0

    Sink Resistance (Ω)

    0

    Propagation Delay t<sub>D1</sub> (ns)

    0

    Propagation Delay t<sub>D2</sub> (ns)

    0

    Rise Time (t<sub>R</sub>, ns)

    750000

    Fall Time (t<sub>F</sub>, ns)

    10,000

    Capacitive Load Drive

    3,000 pF in 2.1 ms

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