说明
MIC5021高侧MOSFET栅极驱动器设计为在高达100kHz的频率下工作(5kHz PWM,占空比为2%至100%),是电机控制、SMPS(开关模式电源)和使用IGBT的应用等高速应用的理想选择。MIC5021也可以作为带有或不带有自动重试的断路器进行操作。
输入上的上升沿或下降沿导致栅极输出上的电流源脉冲或吸收脉冲。该输出电流脉冲可以在大约550ns内导通2000pF MOSFET。如有必要,MIC5021提供有限的电流(<2 mA),以保持输出状态。
跳闸电压为50mV的过电流比较器使MIC5021非常适合与电流感应MOSFET一起使用。为了更精确的过电流控制,可以使用外部低值电阻器代替感测MOSFET。从C放置的可选外部电容器T引脚对地可用于将当前关闭占空比(死区时间)从20%控制到<1%。使用来自C的可选上拉电阻器,可以实现从20%到约75%的占空比T至VDD.
MIC5021有8引脚SOIC和塑料DIP封装。MIC502x系列的其他成员包括MIC5020低侧驱动器和具有交叉传导互锁的MIC5022半桥驱动器。
特性
参数
类型 | 描述 |
MOSFET Driver Type | High Side |
Configuration | Non-Inverting |
Maximum Supply Voltage (V) | 36 |
Peak Source Output (A) | .0056 |
Peak Sink Output (A) | .0056 |
Source Resistance (Ω) | 0 |
Sink Resistance (Ω) | 0 |
Propagation Delay t<sub>D1</sub> (ns) | 500 |
Propagation Delay t<sub>D2</sub> (ns) | 800 |
Rise Time (t<sub>R</sub>, ns) | 400 |
Fall Time (t<sub>F</sub>, ns) | 400 |
Capacitive Load Drive | 1,500pF in 400 ns |



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