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MIC5021

正在供货

具有电流限制和电荷泵的高边MOSFET栅极驱动器

Microchip微芯 MIC5021 产品介绍
2026-04-14 0次

说明


MIC5021高侧MOSFET栅极驱动器设计为在高达100kHz的频率下工作(5kHz PWM,占空比为2%至100%),是电机控制、SMPS(开关模式电源)和使用IGBT的应用等高速应用的理想选择。MIC5021也可以作为带有或不带有自动重试的断路器进行操作。

输入上的上升沿或下降沿导致栅极输出上的电流源脉冲或吸收脉冲。该输出电流脉冲可以在大约550ns内导通2000pF MOSFET。如有必要,MIC5021提供有限的电流(<2 mA),以保持输出状态。

跳闸电压为50mV的过电流比较器使MIC5021非常适合与电流感应MOSFET一起使用。为了更精确的过电流控制,可以使用外部低值电阻器代替感测MOSFET。从C放置的可选外部电容器T引脚对地可用于将当前关闭占空比(死区时间)从20%控制到<1%。使用来自C的可选上拉电阻器,可以实现从20%到约75%的占空比T至VDD.

MIC5021有8引脚SOIC和塑料DIP封装。MIC502x系列的其他成员包括MIC5020低侧驱动器和具有交叉传导互锁的MIC5022半桥驱动器。


特性


  • 12 V至36 V操作
  • 550 ns上升/下降时间驱动2000 pF
  • TTL兼容输入,带内部下拉电阻器
  • 过电流限制
  • 门到源保护
  • 内部充电泵
  • 在全温度和工作电压范围内保证100kHz工作
  • 与电流感应MOSFET兼容
  • 电流源驱动降低EMI

  • 参数


    类型

    描述

    MOSFET Driver Type

    High Side

    Configuration

    Non-Inverting

    Maximum Supply Voltage (V)

    36

    Peak Source Output (A)

    .0056

    Peak Sink Output (A)

    .0056

    Source Resistance (Ω)

    0

    Sink Resistance (Ω)

    0

    Propagation Delay t<sub>D1</sub> (ns)

    500

    Propagation Delay t<sub>D2</sub> (ns)

    800

    Rise Time (t<sub>R</sub>, ns)

    400

    Fall Time (t<sub>F</sub>, ns)

    400

    Capacitive Load Drive

    1,500pF in 400 ns

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