说明
MIC4100/1是高频100V半桥MOSFET栅极驱动器IC,具有快速30ns的传播延迟时间。低侧和高侧栅极驱动器被独立控制并匹配到典型的3ns以内。MIC4100具有CMOS输入阈值,MIC4101具有TTL输入阈值。MIC4100/1包括对高侧栅极驱动自举电容器充电的高电压内部二极管。坚固、高速和低功率电平移位器为高侧输出提供干净的电平转换。MIC4100/1的稳健操作有助于确保输出不受电源故障、HS低于地面的振铃或高速电压转换的HS回转的影响。低压侧和高压侧驱动器都提供欠压保护。MIC4100采用SOIC-8L封装,结工作范围从-40°C到+125°C。
特性
参数
类型 | 描述 |
Capacitive Load Drive | 1,000 pF in 27 ns |
MOSFET Driver Type | Synchronous |
Maximum Supply Voltage V (volt) | 18 |
Peak Source Current A (ampere) | 2 |
Propagation Delay tD1 ns (nanosecond) | 27 |
Propagation Delay tD2 ns (nanosecond) | 27 |
Sink Resistance Ω (ohm) | 2 |
Source Resistance Ω (ohm) | 2.5 |
Fall Time tF ns (nanosecond) | 10 |
Peak Sink Current A (ampere) | 2 |
Rise Time tR ns (nanosecond) | 10 |



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