说明
MIC4100/1是高频100V半桥MOSFET栅极驱动器IC,具有快速30ns的传播延迟时间。低侧和高侧栅极驱动器被独立控制并匹配到典型的3ns以内。MIC4100具有CMOS输入阈值,MIC4101具有TTL输入阈值。MIC4100/1包括对高侧栅极驱动自举电容器充电的高电压内部二极管。坚固、高速和低功率电平移位器为高侧输出提供干净的电平转换。MIC4100/1的稳健操作有助于确保输出不受电源故障、HS低于地面的振铃或高速电压转换的HS回转的影响。低压侧和高压侧驱动器都提供欠压保护。MIC4100采用SOIC-8L封装,结工作范围从-40°C到+125°C。
特性
参数
类型 | 描述 |
MOSFET Driver Type | Synchronous |
Configuration | Dual Inputs |
Maximum Supply Voltage (V) | 18 |
Peak Source Output (A) | 2 |
Peak Sink Output (A) | 2 |
Source Resistance (Ω) | 2.5 |
Sink Resistance (Ω) | 2 |
Propagation Delay t<sub>D1</sub> (ns) | 31 |
Propagation Delay t<sub>D2</sub> (ns) | 31 |
Rise Time (t<sub>R</sub>, ns) | 10 |
Fall Time (t<sub>F</sub>, ns) | 10 |
Capacitive Load Drive | 1,000 pF in 27 ns |



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