说明
MIC4103和MIC4104是高频100V半桥MOSFET栅极驱动器,具有比MIC4100和MIC4101 MOSFET栅极驱动更快的关断特性。它们具有快速24ns的传播延迟时间和6ns的驱动器下降时间。低侧和高侧栅极驱动器被独立控制并匹配到典型的3ns以内。MIC4103具有CMOS输入阈值,MIC4104具有TTL输入阈值。MIC4103/4包括对高侧栅极驱动自举电容器充电的高电压内部二极管。坚固、高速和低功率电平移位器为高侧输出提供干净的电平转换。MIC4103/4的稳健操作有助于确保输出不受电源故障、HS低于地面的振铃或高速电压转换的HS回转的影响。低压侧和高压侧驱动器都提供欠压保护。MIC4103和MIC4104采用8引脚SOIC封装,工作结温度范围为-40°C至+125°C。
特性
参数
类型 | 描述 |
MOSFET Driver Type | Synchronous |
Configuration | Dual Inputs |
Maximum Supply Voltage (V) | 16 |
Peak Source Output (A) | 3 |
Peak Sink Output (A) | 2 |
Source Resistance (Ω) | 1.5 |
Sink Resistance (Ω) | 2 |
Propagation Delay t<sub>D1</sub> (ns) | 24 |
Propagation Delay t<sub>D2</sub> (ns) | 24 |
Rise Time (t<sub>R</sub>, ns) | 10 |
Fall Time (t<sub>F</sub>, ns) | 6 |
Capacitive Load Drive | 1,000 pF in 27 ns |



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