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说明

Microchip AT28BV256是一款高性能256Kbit并行EEPROM，54mW功率，访问时间可达200ns耗散和2.7V电源电压。取消选择，CMOS待机电流较小大于20µA。在没有外部的情况下，读取或写入周期的访问类似于静态RAM组件；它包含一个64字节的页寄存器，最多允许写入64字节。可选软件数据保护机制防止意外写入；还有一个额外的64字节的EEPROM能够进行设备识别或跟踪。

特性

• 32 Kbits x 8（256 Kbit）
• 2.7V至3.6V电源
• 并行接口
• 200ns访问时间
• 自定时擦除和写入周期（最大10ms）
• 页面写入和字节写入
• 写入结束检测的数据轮询
• 低功耗
• 读取/写入电流15 mA（最大）
• 待机电流20µA（典型），50µA（最大）
• 写入保护
• 硬件保护
• 软件数据保护
• 超过100000个擦除/写入周期
• 数据保留期>10年
• 温度范围
• 标准温度范围：-40°C至85°C
• 仅提供绿色（不含铅/卤化物）包装
• 32引线，塑料J引线芯片载体（PLCC）
• 28引线，0.300’宽，塑料鸥翼小外形（SOIC）
• 28引线，塑料薄小外形封装（TSOP）

参数