说明
微芯片AT28HC256是一种高性能256Kbit并行EEPROM,可用于工业和军用温度范围,提供长达70ns的访问时间,功耗为440毫瓦。取消选择,CMOS待机电流小于5mA。像静态一样访问用于读取或写入周期的RAM,无需外部组件,它包含64字节的页寄存器,允许同时写入多达64个字节。特征的内部纠错电路延长了军用版的续航时间并提高了数据保留率。可选软件数据保护机制保护防止无意写入;并且额外的64字节EEPROM使能设备识别或跟踪。
AT28HC256也可在适用的情况下进行双重标记,并带有相应的标准军用图纸编号5962-886340xxx。有关MIL产品的确切可用性,请参阅数据表。
特性
- 32 Kbits x 8(256 Kbit)
- 5V±10%电源
- 并行接口
- AT28HC256E-高耐久性100K写入周期选项
- AT28HC256F-3毫秒快速写入选项
- 70ns访问时间
- 自定时擦除和写入周期(最大10ms)
- 页面写入和字节写入
- 写入结束检测的数据轮询
- 低功耗
- 读取/写入电流80 mA(最大)
- 待机电流TTL 3 mA(最大),CMOS 300µA(最大)
- 写入保护
- 硬件保护
- 软件数据保护
- 数据保留期>10年
- 温度范围
- 标准温度范围:-40°C至85°C
- 军用温度范围:-55°C至125°C
- 提供绿色(不含铅/卤化物)包装
- 32引线,塑料J引线芯片载体(PLCC)
- 28引线,0.300’宽,塑料鸥翼小外形(SOIC)
- 28引线,塑料薄小外形封装(TSOP)
- 提供双重标记(5962-886340xxx)陶瓷密封包装
- 28铅,0.600’宽,无窗口,陶瓷双列直插式(Cerdip)
- 28铅,无窗口,陶瓷底部钎焊扁平封装(扁平封装)
- 32衬垫,无窗口,陶瓷,无引线芯片载体(LCC)
参数
类型 | 描述 |
Battery Backup | 0 |
Density | 256 Kbit |
Endurance | 10,000 |
Max. Clock Freq. | 0 |
Operating Voltage Max (V) | 5.5 |
Operating Voltage Min (V) | 4.5 |
Page Size (Bytes) | 0 |
Write Protected | 0 |
Data Retention | 10 |
Read Access Speed | 70/90/120ns |



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