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Microchip微芯 AT28LV010 产品介绍
2026-04-14
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说明
高性能1M EEPROM的存取时间可达200ns，功耗为54mW，电源电压为3.0V。取消选择，CMOS待机电流小于20µA。它像静态RAM一样在没有外部组件的情况下进行读取或写入周期的访问，它包含一个128字节的页寄存器，允许同时写入多达128字节。EEPROM具有内部纠错功能，可延长续航时间并提高数据保留率。可选的软件数据保护机制可防止意外写入，额外的128字节EEPROM可实现设备识别或跟踪。
参数
类型 | 描述 |
Battery Backup | 0 |
Density | 1 Mbit |
Endurance | 100,000 |
Max. Clock Freq. | 0 |
Operating Voltage Max (V) | 3.6 |
Operating Voltage Min (V) | 3 |
Page Size (Bytes) | 0 |
Write Protected | 0 |
Data Retention | 10 |
Read Access Speed | 200/250ns |
