说明
Microchip AT28C010是一款高性能1兆比特并行EEPROM可用于工业和军用温度范围,提供120ns的访问时间,功耗为220mW(440mW军事的取消选择,CMOS待机电流小于200µA(300µA军事的在没有外部的情况下,读取或写入周期的访问类似于静态RAM组件;一个128字节的页面寄存器,允许最多128字节的写入同时具有内部错误校正电路可延长续航时间并提高数据保留率。可选的软件数据保护机制可防止意外写入;以及额外的128字节EEPROM启用设备识别或跟踪。
AT28C010也可提供双重标记(如适用),并带有相应的标准军用图纸编号-5962-382670xxMxx。请参阅单独的MIL数据表以了解确切的可用性。
特性
- 128 Kbits x 8(1兆比特)
- 5V±10%电源
- 并行接口
- 120ns访问时间
- 自定时擦除和写入周期(最大10ms)
- 页面写入和字节写入
- 写入结束检测的数据轮询
- 低功耗
- 读取/写入电流40 mA(最大)
- 待机电流TTL 2 mA(最大),CMOS 200µA(最大)
- 写入保护
- 硬件数据保护
- 软件数据保护
- 高耐久性选项100000擦除/写入周期
- 数据保留期>10年
- 温度范围
- 标准温度范围:-40°C至85°C
- 军用温度范围:-55°C至125°C
- 提供绿色(不含铅/卤化物)包装
- 32引线,塑料J引线芯片载体(PLCC)
- 32引线,塑料薄小外形封装(TSOP)
- 提供双重标记(5962-382670xxx)陶瓷密封包装
- 32铅,0.600’宽,无窗口,陶瓷双列直插式(Cerdip)
- 32铅,无窗口,陶瓷底部钎焊扁平封装(扁平封装)
- 32衬垫,无窗口,陶瓷,无引线芯片载体(LCC)
参数
类型 | 描述 |
Battery Backup | 0 |
Density | 1 Mbit |
Endurance | 10,000 |
Max. Clock Freq. | 120 |
Operating Voltage Max (V) | 5.5 |
Operating Voltage Min (V) | 4.5 |
Page Size (Bytes) | 128 |
Write Protected | 0 |
Data Retention | 10 |
Read Access Speed | 120/150ns |



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