Microchip微芯 SST25VF512 产品介绍
2026-04-14
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说明
SST25VF512 SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与替代方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器获得了更好的可靠性和可制造性。
特性
- 串行接口体系结构兼容SPI:模式0和模式3
- 低功耗:有源读取电流:7 mA(典型)待机电流:8µA(典型)
- 灵活的擦除功能统一的4K字节扇区â统一的32 KB覆盖块
- 快速擦除和字节程序:芯片擦除时间:70毫秒(典型)扇区或块擦除时间:18毫秒(典型)字节程序时间:14µs(典型)
- 自动地址增量(AAI)编程减少芯片编程总时间字节程序操作
- 可用的程序包â8引线SOIC(4.9毫米x 6毫米)â8触点WSON
- 所有非铅(无铅)设备均符合RoHS标准
参数
类型 | 描述 |
Battery Backup | 0 |
Bus Modes | SPI |
Density | 512 Kbit |
Endurance | 100,000 |
Max. Clock Freq. | 20 MHz |
Operating Voltage Max (V) | 3.6 |
Operating Voltage Min (V) | 2.7 |
Page Size (Bytes) | 0 |
Write Protect Scheme | Quarter, Half, Whole Array |
Write Protected | 0 |
Data Retention | 100 |



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