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说明

SST25WF020A是串行闪存25系列的成员，具有四线SPI兼容接口，可实现占用较少板空间的低引脚数封装，并最终降低总系统成本。SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与替代方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器获得了更好的可靠性和可制造性。此串行闪存显著提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。该设备使用1.65-1.95V的单一电源进行写入（编程或擦除）。所消耗的总能量是所施加的电压、电流和施加时间的函数。由于对于任何给定的电压范围，SuperFlash技术使用更少的电流进行编程，并且具有更短的擦除时间，因此在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量都小于替代闪存技术。SST25WF020A采用8引脚SOIC、8触点TDFN（5mm x 6mm）和8触点USON（2mm x 3mm）封装。

特性

• 单电压读写操作-1.65-1.95V
• 串行接口体系结构-SPI兼容：模式0和模式3
• 高速时钟频率-40MHz
• 卓越的可靠性-耐久性：100000次循环-数据保留期超过20年
• 超低功耗：-有源读取电流：4 mA（典型）-待机电流：10µA（典型）–断电模式待机电流：4µA（经典）
• 灵活的擦除能力-统一的4K字节扇区-统一的64KB覆盖块
• 页面程序模式-256字节/页
• 快速擦除和页面编程：-芯片擦除时间：300毫秒（典型）-扇区擦除时间：40毫秒（典型
• 写入结束检测-软件轮询状态寄存器中的BUSY位
• 固定引脚（Hold#）-在不取消选择设备的情况下暂停串行序列
• 写保护（WP#）-启用/禁用状态寄存器的锁定功能
• 软件写保护-通过状态寄存器中的块保护位进行写保护
• 温度范围-工业：-40°C至+85°C
• 可提供封装-8引脚SOIC（150密耳）-8触点USON（2mm x 3mm）-8接触TDFN-S（5mm x 6mm）
• 所有设备均符合RoHS标准

参数