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说明

SST26WF080B/080BA串行四路I/O（SQI）闪存设备利用4位多路复用I/O串行接口来提高性能，同时保持标准串行闪存设备的紧凑外形。SST26WF080B/080BA还支持与传统串行外围接口（SPI）协议的完全命令集兼容性。SST26WF080B/080BA在达到104 MHz的频率下工作，实现了最小延迟执行到位（XIP）功能，而无需在SRAM上隐藏代码。SST26WF080B/080BA使用1.65-1.95V的单电源进行写入（编程或擦除），功耗显著降低。该设备的低功耗使其成为手机、蓝牙、GPS、相机模块、桌子、助听器和任何电池供电设备的理想选择。SST专有的高性能CMOS SuperFlash®技术进一步提高了性能和可靠性。

这个SST26WF080B通电时的默认值为WP#和HOLD引脚使可能以及SIO2和SIO3引脚使残废从而允许在没有寄存器配置的情况下进行SPI协议操作。
这个SST26WF080BA通电时的默认值为WP#和HOLD引脚使残废以及SIO2和SIO3引脚使可能允许在没有寄存器配置的情况下进行Quad I/O操作。

特性

• 串行接口体系结构：Nibble宽多路复用I/O，具有类似SPI的串行命令结构
• 模式0和模式3
• x1/x2/x4串行外围接口（SPI）协议-突发模式
• 连续线性突发，8/16/32/64字节带环绕的线性突发
• 页面程序：在x1或x4模式下每页256字节
• 灵活的擦除能力：统一的4K字节扇区，四个8K字节的顶部和底部参数覆盖块，一个32K字节的上部和底部覆盖块，统一的64K字节覆盖块
• 软件写入保护：单个块锁定：64 KB块、两个32 KB块和八个8 KB参数块
• 低功耗：有源读取电流：15 mA（典型为104 MHz），待机电流：10µA（典型）
• SFDP（串行闪存可发现参数）
• 可提供的封装：8触点WSON（6mm x 5mm）、8引脚SOIC（150密耳）、8触点USON（2mm x 3mm）、8球XFBGA（Z-Scale）
• 所有设备均符合RoHS标准

参数