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说明

SST25VF080B设备采用改进的工作频率进行增强，以降低功耗。SST25VF080B SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与替代方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器获得了更好的可靠性和可制造性。

特性

• 单电压读写操作—2.7-3.6V
• 支持50 MHz SPI时钟（80 MHz不再可用，请参阅EOL NOTIFICATION）
• 耐久性：100000次循环（典型）
• 数据保留期超过100年
• 编程和擦除电流：30mA（最大）
• 有效读取电流：10 mA（典型）
• 待机电流：5µA（典型）
• 统一4K字节扇区
• 统一的32 KB和64 KB覆盖块
• 芯片擦除时间：35毫秒（典型）
• 扇区/块擦除时间：18毫秒（典型）
• 字节编程时间：7µs（典型）
• 通过字节编程操作减少总芯片编程时间
• 软件轮询状态寄存器中的BUSY位
• AAI模式下SO引脚上的忙状态读数
• 在不取消选择设备的情况下将串行序列挂起到内存
• 启用/禁用状态寄存器的锁定功能
• 通过状态寄存器中的块保护位进行写保护
• 商用：0°C至+70°C
• 工业：-40°C至+85°C
• 可提供封装–8引脚SOIC（200密耳）–8触点WSON（6mm x 5mm）–8引脚PDIP（300密耳）-8凸块CSP
• 所有设备均符合RoHS标准

参数