说明
SST26VF016B串行四路I/O(SQI)闪存设备利用4位多路复用I/O串行接口来提高性能,同时保持标准串行闪存设备的紧凑外形。SST26VF016B还支持与传统串行外设接口(SPI)协议的完全命令集兼容性。SST26VF016B工作频率达到104 MHz,实现了最小延迟就地执行(XIP)功能,无需在SRAM上进行代码隐藏。该设备的高性能和可靠性使其成为网络设备、智能家居、无线连接、计算、数字电视、智能电表、数据中心、汽车和其他工业应用的理想选择。SST专有的高性能CMOS SuperFlash®技术实现了进一步的优势,显著提高了性能和可靠性,并降低了高带宽、紧凑设计的功耗。
特性
- x1/x2/x4串行外围接口(SPI)协议和SQI协议
- 突发模式-连续线性突发,8/16/32/64字节带环绕的线性突发
- 页面程序-在x1或x4模式下每页256字节
- 灵活的擦除能力-统一的4K字节扇区,四个8K字节的顶部和底部参数覆盖块,一个32K字节的上部和底部覆盖块,统一的64K字节覆盖块
- 软件写入保护-单个块锁定:64 KB块、两个32 KB块和八个8 KB参数块
- 低功耗:有源读取电流:15 mA(典型值@104 MHz),待机电流:15µA(典型值),深度掉电电流:2.5 uA(典型)
- SFDP(串行闪存可发现参数)
- 可用封装:8触点WDFN(6mm x 5mm)、8引脚SOIC、8引脚SOIJ
- 所有设备均符合RoHS标准
- 工业-40摄氏度至+85摄氏度;Industrial Plus-40摄氏度至+105摄氏度;扩展-40摄氏度至+125摄氏度
- 汽车AEC-Q100合格
参数
类型 | 描述 |
Density (Organization) | 16 Mbit |
Operating Voltage Min. (V) | 2.3 |
Oper Voltage Max (V) | 3.6 |
Max. Clock Freq. | 104 MHz |
Page Size (bytes) | 256 |
Write Protected | True |
Write Protect Scheme | Software Configurable |
Endurance | 100,000 |
Data Retention (Years) | 100 |
Bus Modes | SPI,SDI,SQI |
Battery Backup | False |



购物车中还没有商品,赶紧选购吧!

正在供货



