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SST26VF016

不适用于新设计

SST26VF016

Microchip微芯 SST26VF016 产品介绍
2026-04-14 0次

说明


SST26VF016串行四路I/O(SQI)闪存设备利用4位多路复用I/O串行接口来提高性能,同时保持标准串行闪存设备的紧凑外形。SST26VF016/ST26VF032在达到80 MHz的频率下工作,使延迟执行到位(XIP)功能,无需SRAM上的代码阴影。该设备的高性能和小占地面积使其成为手机、蓝牙耳机、光盘驱动器、GPS应用程序和其他便携式电子产品的理想选择。SST专有的高性能CMOS SuperFlash®技术实现了进一步的优势,这显著提高了性能和可靠性,并降低了高带宽、紧凑设计的功耗。


特性


  • 串行接口体系结构-Nibble宽多路复用I/O,具有类似SPI的串行命令结构:模式0和模式3-单比特、SPI向后兼容:读取、快速读取和JEDEC ID Readit/s持续数据速率
  • 连续线性突发模式â8/16/32/64字节带环绕的线性突发
  • 低功耗:有源读取电流:12 mA(典型@80 MHz)待机电流:8µA(典型)
  • 快速擦除和字节程序:芯片擦除时间:35毫秒(典型)扇区/块擦除时间:18毫秒(典型)
  • 页面程序â每页256字节â快速页面程序时间,单位为1毫秒(典型值)
  • 灵活的擦除功能统一的4K字节扇区â四个8 KB的顶部和底部参数覆盖块两个32 KB的顶部和底部覆盖块统一的64 KB覆盖块-62个块
  • 软件写入保护â单个块锁定-64 KB数据块、两个32 KB数据块和八个8
  • 可用的程序包â8触点WSON(6mm x 5mm)â8引线SOIC(200密耳)
  • 所有设备均符合RoHS标准

参数


类型

描述

Density (Organization)

16 Mbit

Operating Voltage Min. (V)

2.7

Oper Voltage Max (V)

3.6

Max. Clock Freq.

80 MHz

Page Size (bytes)

256

Write Protected

False

Write Protect Scheme

Software Configurable

Endurance

100,000

Data Retention (Years)

100

Bus Modes

SPI,SQI

Battery Backup

False

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