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说明

SST26WF064C串行四路I/O（SQI）闪存设备利用4位多路复用I/O串行接口来提高性能，同时保持标准串行闪存设备的紧凑外形。SST26WF064C还支持与传统串行外围接口（SPI）协议的完全命令集兼容性。SST26WF064C在达到104 MHz的频率下工作，实现了最小延迟就地执行（XIP）功能，而无需在SRAM上进行代码隐藏。SST26WF064C使用1.65-1.95V的单电源进行写入（编程或擦除），功耗显著降低。该设备的低功耗使其成为无线和任何电池供电设备的理想选择。SST专有的高性能CMOS SuperFlash®技术进一步提高了性能和可靠性。

特性

• 单电压读写操作-1.65 V-1.95V
• x1/x2/x4串行外围接口（SPI）协议
• Nibble宽多路复用I/O，具有类似SPI的串行命令结构
• 双传输速率（DTR）操作
• 最大104 MHz
• 最大54 MHz（DTR）
• 连续线性突发
• 8/16/32/64字节带环绕的线性突发
• 耐久性：100000次循环（分钟）
• 数据保留期超过100年
• 有效读取电流：15mA(typical@104MHz)
• 待机电流：10µA（典型）
• 深度断电电流：2.5µA（典型）
• 扇区/块擦除：18毫秒（典型），25毫秒（最大）
• 芯片擦除：35毫秒（典型），50毫秒（最大）
• 在x1或x4模式下每页256字节
• 统一的4K字节扇区
• 四个8K字节的顶部和底部参数叠加块
• 一个32K字节的顶部和底部覆盖块
• 统一64K字节覆盖块
• 挂起程序或擦除操作以访问另一个块/扇区
• 软件和硬件重置模式
• 支持符合JEDEC标准的串行闪存可发现参数（SFDP）表
• 具有永久锁定功能的单个块写入保护
• 读取顶部和底部8K字节参数块的保护
• 一次性可编程（OTP）2KByte，安全ID
• 64位唯一、工厂预先编程的标识符
• 用户可编程区域
• 工业：-40°C至+85°C
• 8触点WDFN（6mm x 5mm）
• 8引线SOIJ（5.28 mm）
• 16引线SOIC（7.50mm）
• 24球TBGA（8mmx6mm）
• 所有设备均符合RoHS标准

参数