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说明

此产品不再提供。请参阅EOL PCN#CAAN-21DKPT068

EERAM是一种不会在电源中断时丢失内容的SRAM。在每个对用户透明的存储单元内，都有非易失性晶体管，它们捕获SRAM内容并通过断电事件保持它。在电源恢复时，SRAM会重新加载其最后的内容，并且SRAM操作可以继续。

特性

• 131072 x 8位串行SRAM，带内部非易失性数据备份
• 高速SPI接口：高达66MHz，带施密特触发器输入，可抑制噪声
• 低功耗CMOS技术：有源电流：5毫安（最大）；待机电流：500µA（最大）；休眠电流：3µA（最大值）
• 基于单元的非易失性备份逐个镜像SRAM阵列单元，并并行地将所有数据传输到SRAM单元/从SRAM单元传输所有数据（同时传输所有单元）
• 用户数据传输不可见：设备内部监控VCC电平，电源中断时自动保存SRAM，VCC返回时自动恢复SRAM
• 最少100000次备份（在20°C时）
• 100年保存期（20°C）
• 工作电压范围：2.7V-3.6V
• 温度范围工业（I）-40至85ºC，扩展（E）-40至125ºC
• 8-SOIJ（208mil宽）封装

参数