Microchip微芯 SST39SF010A 产品介绍
2026-04-14
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说明
SST39SF010A是一款CMOS多用途闪存(MPF),采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与替代方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器获得了更好的可靠性和可制造性。SST39SF010A使用4.5-5.5V电源进行写入(编程或擦除),并符合用于x8存储器的JEDEC标准引脚。
特性
- 组织为128K x8/256K x8/512K x8
- 单个4.5-5.5V读写操作
- 卓越的可靠性耐力:100000次循环(典型)数据保留期超过100年
- 低功耗(14 MHz时的典型值)有功电流:10 mA(典型)待机电流:30µA(典型)
- 扇区擦除功能统一的4K字节扇区
- 快速读取访问时间:â55 nsâ70 ns
- 锁存的地址和数据
- 自动写入定时内部VPP生成
- 快速擦除和字节编程扇区擦除时间:18毫秒(典型)芯片擦除时间:70毫秒(典型)字节程序时间:14µs(典型)芯片重写时间:SST39SF010A为2秒(典型值)SST39SF020A为4秒(典型值)SST39SF040为8秒(典型值)
- 写入结束检测â切换位â数据#轮询
- TTL I/O兼容性
- JEDEC标准闪存EEPROM引脚和命令集
- 可用的程序包32导联PLCC32导联TSOP(8mm x 14mm)â32针PDIP
- 所有设备均符合RoHS标准
- 所有非铅(无铅)设备均符合RoHS标准
参数
类型 | 描述 |
Density (Organization) | 1 Mbit |
Operating Voltage Min. (V) | 4.5 |
Oper Voltage Max (V) | 5.5 |
Max. Clock Freq. | 0 |
Read Access Speed (Par Flash) | 55 ns |
Page Size (bytes) | 0 |
Write Protected | False |
Endurance | 100,000 |
Data Retention (Years) | 100 |
Battery Backup | False |



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