h1_key

特性

• 组织为256K x16
• 单电压读写操作−2.7-3.6V
• 卓越的可靠性-持久性：100000个周期（典型），数据保留期超过100年
• 低功耗（典型值为14 MHz）
• 有效电流：9 mA（典型）备用电流：3µA（典型）
• 扇区擦除能力-统一2 KWord扇区
• 块擦除功能-统一的32 KWord块
• SST39VF400A的快速读取访问时间为70 ns
• 快速擦除和Word程序
• 扇区擦除时间：18毫秒（典型）
• 块擦除时间：18毫秒（典型）
• 芯片擦除时间：70毫秒（典型）
• Word程序时间：14µs（典型）
• 芯片重写时间：SST39VF400A为4秒（典型值）
• 自动写入定时—内部VPP生成
• 写入结束检测切换位数据#轮询
• JEDEC标准闪存EEPROM引脚和命令集
• 可提供封装48引脚TSOP（12mm x 20mm）、48球TFBGA（6mm x 8mm）、48珠WFBGA（4mm x 6mm）、48凸块XFLGA（4mm x 6m）
• 所有非铅（无铅）设备均符合RoHS标准

参数