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说明

SST39VF040是一款5124K x8CMOS多用途闪存（MPF），采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与替代方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器获得了更好的可靠性和可制造性。SST39VF040设备使用2.7-3.6V电源进行写入（编程或擦除）。该设备符合用于x8存储器的JEDEC标准引脚。

特性

• 组织为64K x8/128K x8/256K x8/512K x8
• 单电压读写操作â3.0-3.6V，适用于SST39LF512/010/020/040对于SST39VF512/010/020/040，为2.7-3.6V
• 卓越的可靠性耐力：100000次循环（典型）数据保留期超过100年
• 低功耗（14 MHz时的典型值）有功电流：5 mA（典型）待机电流：1µA（典型）
• 扇区擦除功能统一的4K字节扇区
• 快速读取访问时间：对于SST39LF512/010/020/040为45 ns对于SST39LF020/040为55 ns对于SST39VF512/010/020/040为70 ns
• 锁存的地址和数据
• 快速擦除和字节程序：扇区擦除时间：18毫秒（典型）芯片擦除时间：70毫秒（典型）字节程序时间：14µs（典型）芯片重写时间：SST39LF/VF512为1秒（典型值）SST39LF/VF010为2秒（典型值）SST39LF/VF020为4秒（典型值）SST39LF/VF040为8秒（典型值）
• 自动写入定时内部VPP生成
• 写入结束检测â切换位â数据#轮询
• CMOS I/O兼容性
• JEDEC标准闪存EEPROM引脚和命令集
• 可用的程序包32导联PLCC32导联TSOP（8mm x 14mm）48球TFBGA（6mm x 8mm）用于1M和2M的34球WFBGA（4mm x 6mm）
• 所有设备均符合RoHS标准

参数