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说明

SST39VF802C器件是512K x16 CMOS多用途闪存+（MPF+），采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与替代方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器获得了更好的可靠性和可制造性。SST39VF802C使用2.7-3.6V电源进行写入（编程或擦除）。此设备符合用于x16存储器的JEDEC标准引脚。

特性

• 组织为512K x16
• 低功耗（5 MHz时的典型值）有源电流：5 mA（典型）待机电流：3µA（典型）自动低功耗模式：3µA.（典型）
• 硬件块保护/WP#输入引脚-顶部块保护（顶部8千瓦）-底部块保护（底部8千瓦）
• 扇区擦除能力-统一2 KWord扇区
• 块擦除能力-灵活的块架构；一个8-、两个4-、一个16-和十五个32KWord区块
• 芯片擦除能力
• 擦除挂起/擦除恢复功能
• 硬件复位引脚（RST#）
• 锁存的地址和数据
• 安全ID功能－SST:128位；用户：128字
• 快速擦除和字程序：扇区擦除时间：18ms（典型）块擦除时间：18ms（典型）芯片擦除时间：40ms（典型
• 自动写入定时—内部VPP生成
• 写入结束检测切换位数据轮询就绪/繁忙引脚
• CMOS I/O兼容性
• JEDEC标准闪存EEPROM引脚和命令集
• 可提供封装48引脚TSOP（12mm x 20mm）48球TFBGA（6mm x 8mm）48球WFBGA（4mm x 6mm）

参数