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说明

SST38VF6401B/6402B/6403B/6404B是4Mx16 CMOS Advanced Multi-Purpose Flash Plus（Advanced MPF+）设备采用SST专有技术制造，高性能CMOS超级闪存技术。分闸单元设计并且厚氧化物隧道注入器获得了更好的可靠性和可制造性与替代方法相比。SST38VF6401B/6402B/6403B/6404B使用2.7-3.6V电源进行写入（编程或擦除）。此设备符合用于x16存储器的JEDEC标准引脚分配。

有关此设备的硅勘误表，请参阅文档部分。

特性

• 组织为4Mx16
• 单电压读写操作—2.7-3.6V
• 卓越的可靠性—耐久性：最少100000个周期—数据保留期超过100年
• 低功耗（5 MHz时的典型值）有源电流：25 mA（典型）待机电流：5µA（典型）自动低功耗模式：5µA.（典型）
• 128位唯一ID
• 安全ID功能–248字，用户一次性可编程
• 保护和安全功能-硬件引导块保护/WP#输入引脚，统一（32 KWord）和非统一（8 KWord）选项可用-用户控制的单个块（32 KWord）保护，仅使用软件方法-密码保护
• 硬件复位引脚（RST#）
• 快速读取和页面读取访问时间：70 ns读取访问时间25 ns页面读取访问次数-8字页面读取缓冲区
• 锁存的地址和数据
• 快速擦除时间：块擦除时间：18毫秒（典型）芯片擦除时间：40毫秒（典型
• 擦除挂起/-恢复功能
• 快速字和写缓冲区编程时间：字编程时间：7µs（典型）写缓冲区程序时间：1.75µs/字（典型）-16字写缓冲区
• 自动写入定时—内部VPP生成
• 写入结束检测切换位数据轮询RY/BY#输出
• CMOS I/O兼容性
• JEDEC标准闪存EEPROM引脚和命令集
• 符合CFI
• 可提供包48铅TSOP 48球TFBGA
• 所有非铅（无铅）设备均符合RoHS标准

参数