h1_key

说明

SST38VF6403器件是一款4Mx16 CMOS Advanced Multi-Purpose Flash Plus（Advanced MPF+），采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与替代方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器获得了更好的可靠性和可制造性。SST38VF6403使用2.7-3.6V电源进行写入（编程或擦除）。该设备符合用于x16存储器的JEDEC标准引脚分配。

特性

• 组织为4Mx16
• 单电压读写操作â2.7-3.6伏
• 卓越的可靠性耐力：最低可达100000次循环数据保留期超过100年
• 低功耗（5 MHz时的典型值）有源电流：4 mA（典型）待机电流：3µA（典型）自动低功率模式：3µA（典型）
• 128位唯一ID
• 安全ID功能256字，用户一次性可编程
• 保护和安全功能硬件引导块保护/WP#输入引脚，统一（32 KWord）和非统一（8 KWord）可用选项用户控制的单个块（32 KWord）保护，使用仅限软件的方法â密码保护
• 硬件复位引脚（RST#）
• 快速读取和页面读取访问时间：â90 ns读取访问时间â25 ns页面读取访问时间-4字页面读取缓冲区
• 锁存的地址和数据
• 快速擦除时间：扇区擦除时间：18毫秒（典型）块擦除时间：18毫秒（典型）芯片擦除时间：40毫秒（典型）
• 擦除挂起/-恢复功能
• 快速字和写缓冲区编程次数：单词程序时间：7µs（典型）写入缓冲区编程时间：1.75µs/Word典型的-16字写入缓冲区
• 自动写入定时内部VPP生成
• 写入结束检测â切换位â数据#轮询âRY/BY#输出
• CMOS I/O兼容性
• JEDEC标准闪存EEPROM引脚和命令集
• 符合CFI
• 可用的程序包â48导联TSOP48球TFBGA
• 所有非铅（无铅）设备均符合RoHS标准

参数