Microchip微芯_SST39VF6401B_产品介绍

Microchip微芯 SST39VF6401B 产品介绍

2026-04-14 0次

说明

SST39VF6401B器件是一款4Mx16 CMOS多用途闪存+（MPF+），采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与替代方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器获得了更好的可靠性和可制造性。SST39VF6401B使用2.7-3.6V电源进行写入（编程或擦除）。该设备符合用于x16存储器的JEDEC标准引脚，并且与支持AMD/Spansion命令集的闪存设备兼容命令集，使客户能够在实施中节省时间和资源。

特性

组织为4Mx16

单电压读写操作â2.7-3.6伏

卓越的可靠性耐力：100000次循环（典型）数据保留期超过100年

低功耗（5 MHz时的典型值）有功电流：9毫安（典型值）待机电流：3µA（典型）自动低功率模式：3µA（典型）

硬件块保护/WP#输入引脚â顶部块保护（顶部32 KWord）用于SST39VF6402B底部块保护（底部32 KWord）用于SST39VF6401B

扇区擦除功能统一的2 KWord扇区

块擦除功能统一的32 KWord块

芯片擦除能力

擦除挂起/擦除恢复功能

硬件复位引脚（RST#）

安全ID功能âSST:128位；用户：128位

快速读取访问时间：â70 nsâ90 ns

锁存的地址和数据

快速擦除和Word程序：扇区擦除时间：18毫秒（典型）块擦除时间：18毫秒（典型）芯片擦除时间：40毫秒（典型）单词程序时间：7µs（典型）

自动写入定时内部VPP生成

写入结束检测â切换位â数据#轮询

CMOS I/O兼容性

JEDEC标准闪存EEPROM引脚分配软件命令序列兼容性-地址格式为11位，A10-A0-块擦除第6个总线写入周期为30H-扇区擦除第6个总线写入周期为50H

可提供的封装48铅TSOP（12mm x 20mm）

所有非铅（无铅）设备均符合RoHS标准

参数

类型	描述
Density (Organization)	64 Mbit
Operating Voltage Min. (V)	2.7
Oper Voltage Max (V)	3.6
Max. Clock Freq.	0 kHz
Read Access Speed (Par Flash)	70 ns
Page Size (bytes)	0
Write Protected	False
Endurance	100,000
Data Retention (Years)	0
Battery Backup	False

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