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Microchip微芯 SST39VF6402B 产品介绍
2026-04-14
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说明
AMD/Spansion兼容命令集
SST39VF6402B器件是一款4Mx16 CMOS多用途闪存+（MPF+），采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与替代方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器获得了更好的可靠性和可制造性。该设备符合用于x16存储器的JEDEC标准引脚，并且与支持AMD/Spansion命令集的闪存设备兼容命令集，使客户能够在实施中节省时间和资源。
特性
- 组织为4Mx16
- 2.7-3.6V读取/擦除/写入操作
- 耐久性：100000次循环（典型）
- 数据保留期超过100年
- 有效电流：9 mA（典型）
- 待机电流：3µA（典型）
- 自动低功率模式：3µA（典型）
- 扇区擦除−统一2 KWord扇区，18 ms（典型）
- 块擦除−均匀32 K字块，18 ms（典型）
- 芯片擦除−40毫秒（典型）
- 擦除挂起/擦除恢复
- Word程序时间：7µs（典型）
- 内部VPP生成的自动写入定时
- 写入结束检测-切换位/数据#轮询
- 快速读取访问时间：70 ns–90 ns
- SST39VF6402B的顶部块保护（顶部32 KWord）
- SST39VF6401B的底部块保护（底部32 KWord）
- 硬件复位引脚（RST#）
- 安全ID功能－SST:128位；用户：128位
- 锁存的地址和数据
- 闪存EEPROM引脚分配
- 地址格式为11位，A10-A0
- 块擦除第6个总线写入周期为30H
- 扇区擦除第6个总线写入周期为50H
- 48引线TSOP（12mm x 20mm）
- 48球TFBGA（8mm x 10mm）
- 所有非铅（无铅）设备均符合RoHS标准
参数
类型 | 描述 |
Density (Organization) | 64 Mbit |
Operating Voltage Min. (V) | 2.7 |
Oper Voltage Max (V) | 3.6 |
Max. Clock Freq. | 0 kHz |
Read Access Speed (Par Flash) | 70 ns |
Page Size (bytes) | 0 |
Write Protected | False |
Endurance | 100,000 |
Data Retention (Years) | 100 |
Battery Backup | False |
