MDD辰达半导体推出低内阻、强抗浪涌MOSFET，电池管理系统BMS中的关键元器件

在储能BMS中，充放电控制和主动均衡是两大关键电路，都离不开高性能的MOSFET。MDD辰达半导体推出的MDDG03R04Q与MDDG04R06Q两款N沟道MOSFET，采用先进的 SGT工艺，轻松应对BMS中的会遇到的挑战。

2025-12-10 30次

在嵌入式系统与智能设备中，小容量、可重复擦写的非易失性存储器始终扮演着关键角色。芯伯乐24Cxx系列串行EEPROM凭借其标准化的接口、稳定的性能与极低的功耗，成为存储配置参数、用户设置、运行日志等的首选方案。无论是消费电子、工业控制还是物联网设备，都能见到它的身影。

2025-12-10 7次

芯伯乐低噪声轨到轨运放芯片XAD8605/8606/8608系列，11MHz带宽高精度信号调理

在工业控制、汽车电子和便携式设备等领域，对运算放大器的性能要求越来越高，尤其是在带宽、噪声、功耗和输入输出范围等方面的平衡。芯伯乐的XAD8605/XAD8606/XAD8608系列运算放大器，以其11MHz带宽、低噪声、轨到轨输入输出和微安级功耗，为高精度信号处理提供了可靠的解决方案。

2025-12-10 12次

VBGED1401——LFPAK56封装，40V/0.8mΩ超低阻SGT MOSFET，刷新了中压MOSFET的性能极限

2025-12-09 30次

全球第三国内首款顶部散热TOLT封装功率MOSFET-VBGQTA1101

近日，国内功率半导体领域迎来突破性进展——微碧半导体（VBsemi）正式推出新品VBGQTA1101，采用创新TOLT-16封装。这不仅是中国首款采用顶部散热技术的功率MOSFET，更以"热传导与电流路径解耦"的核心设计，实现了功率密度与散热效率的跨越式升级，标志着我国在高功率半导体封装技术领域成功跻身国际先进行列！

2025-12-09 12次

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