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川土微电子CA-IS3215/6-Q1适用于SiC/IGBT 的具有主动保护功能、高 CMTI、15A 拉/灌电流的单通道增强隔离栅极驱动器新品发布!

  01产品概述

  CA-IS3215/6 是一系列基于电容隔离的集成多种保护功能的单通道栅极驱动器，可用于驱动SiC、IGBT 和MOSFET 器件。器件具有先进的主动保护功能、出色的动态性能和高可靠性，同时具有高达±15A 峰值的拉/灌电流能力。

  CA-IS3215/6 通过 SiO2 电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的电气隔离，支持1.5kVRMS 的隔离工作电压、12.8 kVPK 浪涌抗扰度，额定工作电压下隔离栅寿命超过40 年，同时具有良好的器件一致性以及>150V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。

CA-IS3215/6 具有以下保护功能：快速过流和短路检测、有源短路保护、有源米勒钳位、主动下拉、短路钳位、软关断、故障报告、控制和驱动侧电源UVLO，同时针对 SiC 和 IGBT 开关行为进行了优化，并提高了可靠性。CA-IS3215/6 全系列采用 SOIC16 宽体封装，爬电距离和间隙距离大于 8mm。

  02产品特性

  • 5.7 kVRMS 耐压等级的单通道隔离栅极驱动器

  • 驱动最高达 2121 VPK 的SiC MOSFET 和 IGBT

  • 33 V 最大输出驱动电压(VDD–VEE)

  • ±15 A 峰值驱动电流能力

  • OUTH 和OUTL 分离输出配置

  • 高共模瞬态抗扰度：150 V/ns(最小值)

  • 200 ns 响应时间的快速 DESAT 保护功能

  • 内置4 A 峰值电流有源米勒钳位

  • 发生故障时 400 mA (IGBT)或1 A (SiC) 软关断

  • 驱动侧和控制侧独立的ASC 输入控制，用于在系统故障时强制开通功率管(部分型号)

  • 过饱和故障时，FLT警告，通过RST/EN 复位

  • 快速响应的RST/EN 关断/使能

  • 输入引脚上40 ns(典型值)瞬态和脉冲抑制功能

  • 12 V VDD UVLO 和电源READY 指示功能

  • 直通死区保护(部分型号)

  • 延时特性：

  - 130 ns(最大值)传播延迟

  - 30 ns(最大值)脉宽失真

  - 30 ns(最大值)器件间延时匹配

  • SOIC16 宽体封装，爬电距离和间隙距离>8mm

  • 额定工作电压下隔离栅寿命大于40年

• 工作结温(TJ)范围 ：–40°C 至 150°C

  03典型应用

  • 汽车电驱逆变器

  • 直流快速充电桩

  • 新能源车载充电器

• 汽车高压DC-DC 变换器

  04应用图

CA-IS3215/6-Q1 典型应用图