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川土微电子CA-IS3417WT、3417WT-Q1 1700V高压隔离开关
2023-12-21 148次

 

  01产品概述

CA-IS3417WT/3417WT-Q1是一款光耦兼容的高压隔离开关,原边输入级为模拟二极管(e-diode),与光MOS继电器相比,它具有更好的一致性、长期可靠性和老化性能。隔离副边集成了背靠背的高压SiC MOS,而SiC MOS具有更好的高温特性和可靠性,使得该器件可以运行在更高环境温度下。

 

 

  02产品特性

  • 模拟光耦输入特性

  • 输出背靠背设计,防止电流反偏

  • 漏源极电压高达1700V

  • 超低关断静态电流 1μA Max

  • 输入级最高反向耐压5.5V

  • 漏源极支持50mA最大导通电流

  • 导通电阻: 300 Ω (max)

  • 宽工作温度范围:-40 °C ~ 125 °C

  • 高CMTI:±150 kV/µs(典型)

  • 基于两层PCB板,可满足CISPR32 Class-B的EMI标准(CA-IS3417WT)和CISPR25 Class-5的EMI标准(CA-IS3417WT-Q1)

  • 优异的隔离性能(认证中):

  - UL 1577 标准下,长达1 分钟的5kVRMS 隔离耐压

  - 符合DIN V VDE V 0884-17:2017-01 标准的7070 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM

  • RoHS Compliant

  • 封装形式:SOIC12-WB(WT)

  

 

 

 

  03典型应用

  • 高压电池包电压采样

  • 高压电池包绝缘检测

  • 高压继电器故障诊断

 

 

  04应用图

  

 

CA-IS3417WT /3417WT-Q1 典型应用图

 

  • 川土微电子CA-IS3417WT、3417WT-Q1 1700V高压隔离开关
  • CA-IS3417WT、3417WT-Q1是一款光耦兼容的高压隔离开关,原边输入级为模拟二极管(e-diode),与光MOS继电器相比,它具有更好的一致性、长期可靠性和老化性能。隔离副边集成了背靠背的高压SiC MOS,而SiC MOS具有更好的高温特性和可靠性,使得该器件可以运行在更高环境温度下。
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