产品概述
三星半导体 K4B4G1646E-BMMA 是一款高性能的 DDR3L SDRAM 内存芯片,由全球领先的半导体制造商三星电子设计生产。该芯片于 2016 年 6 月 24 日首次推出,最近一次规格更新在 2024 年 1 月 15 日,目前处于 Active(活跃)状态,可正常订购。作为三星内存产品家族的重要成员,K4B4G1646E-BMMA 凭借其优异的性能和广泛的适应性,在嵌入式系统和消费电子领域占据一席之地。
该芯片的容量为 4Gb(即 512MB),采用 256M x 16 的组织架构,这意味着它包含 256 个存储体,每个存储体的位宽为 16 位,这种架构设计使其能够在保证存储容量的同时提供高效的数据访问能力。
技术规格
核心性能参数
技术类型:DDR3L SDRAM(低电压双倍数据率同步动态随机存取存储器)
容量:4Gb(512MB)
组织架构:256M x 16
数据传输率:1866 MT/s(兆传输每秒)
最大时钟频率:933 MHz
最小时钟周期:1.072 ns
工作电压:1.35V/1.5V(双电压支持)
工作温度范围:-40°C 至 95°C
总线宽度:x16
电压特性
K4B4G1646E-BMMA 的双电压设计(1.35V/1.5V)是其显著特点之一。这种设计使其能够在不同应用场景中灵活选择:在 1.35V 模式下工作时,可以实现更低的功耗,适合对电池续航敏感的移动设备;而在 1.5V 模式下,则可以优先保证性能表现,满足高性能计算需求。
温度适应性
该芯片支持 - 40°C 至 95°C 的宽温工作范围,远超出普通商用电子元件的温度范围,这使得它能够适应各种严苛环境条件,包括工业控制环境和极端温度环境下的应用。
性能优势
高速数据传输:1866 MT/s 的数据传输率和 933 MHz 的时钟频率确保了高效的数据处理能力,能够满足现代电子设备对内存带宽的高要求。
宽温工作能力:从极寒到高温的宽温设计,使其在各种恶劣环境中都能保持稳定工作,扩展了应用范围。
双电压支持:灵活的电压选择允许设计工程师在功耗和性能之间取得最佳平衡,适应不同应用场景的需求。
高可靠性:作为三星原厂产品,K4B4G1646E-BMMA 继承了三星半导体一贯的高品质标准,具有出色的一致性和长期可靠性。
RoHS 合规:符合欧盟 RoHS 环保标准,体现了对环境保护的重视,适合全球市场销售和应用。
封装与物理特性
K4B4G1646E-BMMA 采用 96 引脚 FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array,细间距球栅阵列)封装,这种封装形式具有以下优势:
小型化设计,节省 PCB 板空间
良好的散热性能,有利于芯片在高负载下工作
优异的电气性能,减少信号干扰
较高的机械强度,提高抗振动能力
虽然 K4B4G1646E-BMMA 的具体尺寸未在公开资料中详细说明,但参考三星同系列产品(如 K4B4G1646E-BYMA)的规格,其封装尺寸约为 13.30mm x 7.50mm,高度约 1.10mm,这种紧凑的尺寸使其适合空间受限的应用场景。
应用场景
根据 K4B4G1646E-BMMA 的性能特点和三星同系列产品的应用情况,该芯片适用于以下领域:
嵌入式系统:包括工业控制板、物联网网关设备和嵌入式计算平台等
消费电子产品:如智能电视、机顶盒、游戏机等
网络设备:路由器、交换机等网络基础设施
医疗电子:部分医疗监测设备和便携式医疗仪器
汽车信息娱乐系统:虽然该型号不支持汽车级认证,但可用于车载信息娱乐系统等非安全关键部件
需要注意的是,该型号明确标注为 "automotive no",即不适合用于汽车安全关键系统,设计工程师在选型时需特别注意这一点。
合规性与市场信息
环保认证:符合 RoHS 标准,不含铅等有害物质
HTS 编码:85423239(用于国际贸易分类)
ECCN 编码:EAR99(美国出口管制分类)
包装规格:卷带包装(2000 个 / 卷),托盘包装(112 个 / 盘或 1120 个 / 箱)
目前,K4B4G1646E-BMMA 可通过全球主要电子元件分销商进行采购,三星及其授权分销商提供稳定的供货保障。
总结
三星半导体 K4B4G1646E-BMMA 作为一款成熟的 DDR3L SDRAM 产品,凭借其 4Gb 容量、1866MT/s 的高速率、宽温工作范围和双电压支持等特性,为各类电子设备提供了可靠的内存解决方案。其紧凑的封装设计和 RoHS 合规特性进一步增强了其在全球市场的竞争力。
对于需要平衡性能与功耗、同时要求一定环境适应性的应用场景,K4B4G1646E-BMMA 无疑是一个值得考虑的选择。设计工程师在具体应用中应参考三星官方数据手册,以获取更详细的时序参数和设计指南,确保最佳的系统兼容性和性能表现。