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TPS5430DDAR

一、TPS5430DDAR介绍

  厂商型号：TPS5430DDAR

  品牌名称：TI(德州仪器)

  元件类别：DC-DC电源芯片

  封装规格：SO PowerPAD-8

  型号介绍： 可调节电源，24 V 总线，耐热增强型8 引脚 SOIC

  数据手册：

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二、TPS5430DDAR概述

  TPS5430DDAR是一种高输出电流PWM转换器，集成了低电阻、高侧N沟道MOSFET。基板上包括一个高性能电压误差放大器，在瞬态条件下提供严格的电压调节精度；欠压锁定电路，防止启动，直到输入电压达到5.5V；内部设置的缓慢启动电路，用于限制涌入电流；和电压前馈电路，以改善瞬态响应。使用ENA引脚，停机电源电流通常降至18mA。其他功能包括有源高使能、过电流限制、过电压保护和热关机。为了降低设计复杂度和外部元件数量，TPS543x反馈回路进行内部补偿。TPS5431旨在通过高达23 V的电源轨运行。TPS5430调节包括24 V总线在内的多种电源。

  TPS5430DDAR是一种3-a降压(buck)稳压器，带有集成的高端n沟道MOSFET。TPS5431的工作电压最高为23 V，TPS5430的工作电压最高为36 V。这些设备通过电压前馈实现恒频电压模式控制，以改善线路调节和线路瞬态响应。内部补偿降低了设计复杂性和外部组件数量。

  集成110-mΩ高压侧MOSFET支持高效电源设计，能够向负载提供3-A连续电流。集成高压侧MOSFET的栅极驱动偏置电压由连接自举到PH引脚的自举电容器提供。TPS5430DDAR通过集成自举充电二极管来减少外部组件计数。

  TPS5430DDAR的默认输入启动电压通常为5.3 V。ENA引脚可用于禁用TPS5430DDAR，将电源电流降低至18µA。当ENA引脚浮动时，内部上拉电流源启用操作。TPS5430DDAR包括一个内部慢启动电路，该电路在启动期间减慢输出上升时间，以减少冲击电流和输出电压过冲。最小输出电压为内部1.221-V反馈基准。输出过电压瞬态通过过电压保护(OVP)比较器最小化。当OVP比较器激活时，高压侧MOSFET关闭并保持关闭，直到输出电压低于预期输出电压的112.5%。

  内部逐周期过电流保护限制集成高侧MOSFET中的峰值电流。对于连续过电流故障条件，TPS5430DDAR将进入打嗝模式过电流限制。热保护可防止设备过热。

三、TPS5430DDAR中文参数/资料

  商品分类：DC-DC电源芯片

  品牌：TI(德州仪器)

  封装：SO PowerPAD-8

  包装：整包装

  商品标签：汽车级

  功能：降压

  输出配置：正

  拓扑：降压

  输出类型：可调式

  输出数：1

  电压-输入(最小值)：5.5V

  电压-输入(最大值)：36V

  电压-输出(最小值/固定)：1.221V

  电压-输出(最大值)：32.04V

  电流-输出：3A

  频率-开关：500kHz

  同步整流器：无

  工作温度：-40°C ~ 125°C(TJ)

  安装类型：表面贴装型

  基本产品编号：TPS5430

  RoHS状态：符合 ROHS3 规范

  湿气敏感性等级(MSL)：1(无限)

  REACH状态：非 REACH 产品

  ECCN：EAR99

  HTSUS：8542.39.0001

四、TPS5430DDAR引脚图、原理图、封装图

TPS5430DDAR引脚图

TPS5430DDAR电路图(原理图)

TPS5430DDAR封装图