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英飞凌的EiceDRIVER™高低边栅极驱动器IR2181STRPBF
其中,英飞凌的EiceDRIVER™ 600 V 高低边栅极驱动器 IC(IR2181STRPBF),具有典型的 1.9 A 拉电流和 2.3 A 灌电流,具有更高的带载能力,可驱动 MOSFET和IGBT,为产品从开发设计到最终应用全面保驾护航。
2023-12-27
417次
英飞凌门极驱动正压对功率半导体性能影响
对于半导体功率器件来说,门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响,而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗,开关损耗和短路性能来分别讨论。
2023-12-22
392次
英飞凌160V MOTIX™三相栅极驱动器IC
MOTIX™三相栅极驱动器集成电路6ED2742S01Q是英飞凌MOTIX™品牌的新成员,该品牌通过可扩展的产品组合提供低压电机控制解决方案。它是一款160V绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器IC,采用5x5 mm² QFN-32封装,带有热效率高的裸露功率焊盘,并集成了电源管理单元(PMU)。
2023-07-21
448次
英飞凌6.5A,2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板
英飞凌6.5A,2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板(配SiC MOSFET)。EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路,用两个栅极驱动IC 1ED3142MU12F来驱动IGBT、MOSFET和SiC MOSFET等功率开关。
2023-06-28
509次
英飞凌的 CoolSiC™ XHP™ 2 高功率模块
英飞凌科技股份公司为了满足上述需求,在其 CoolSiC™功率模块产品组合中增加了两款新产品:FF2000UXTR33T2M1和 FF2600UXTR33T2M1。这些功率模块采用新开发的3.3kV CoolSiC™ MOSFET和英飞凌的.XT互连技术,封装为XHP™ 2,专门针对牵引应用量身定制。
2023-06-28
487次
辅助驾驶毫米波雷达信号处理器
毫米波雷达大规模用于汽车辅助驾驶的传感器,由于受气象变化、可见光强弱影响较小,测距较精准,可以和摄像头取长补短,共同实现可靠的AEB功能。2018年版C-NCAP加入了主动安全配置(AEB)性能测试要求,而2021年版C-NCAP调高了主动安全部分权重【1】。交通运输部发布了《营运车辆自动紧急制动系统性能要求和测试规程》(JT/T1242-2019)于2019年4月1日起正式实施。该标准规定了营运车辆自动紧急制动(AEB)系统的一般要求、功能要求、环境适应性要求和测试规程。
2023-06-28
482次
英飞凌OptiMOS™ 7 40V 车规MOSFET
英飞凌OptiMOS™ 7 是英飞凌开发的第五代沟槽技术,是当今领先的双多晶硅沟槽技术。无引脚封装结合铜夹技术的使用,大幅提高了产品的电流能力。该系列产品将采用业界先进的300mm薄晶圆技术进行批产。
2023-06-28
448次
英飞凌面向物联网产品的Wi-Fi 6/6E指南
Wi-Fi联盟在2021年1月宣布推出Wi-Fi 6E认证计划时指出:“Wi-Fi 6E将引领Wi-Fi的下一个20年。”表1给出了Wi-Fi的发展历史,以及它与电气和电子工程师协会IEEE 802.11标准之间的联系。IEEE制定了无线局域网标准和许多其他标准。Wi-Fi联盟支持IEEE所制定的Wi-Fi标准,包括认证以及世界各国政府如何分配可使用的频率等。
2023-05-26
415次
英飞凌ISO 26262 ASIL-B高分辨率车规级ToF图像传感器
英飞凌是首家提供符合ISO 26262 ASIL-B功能性安全要求的高分辨率车规级ToF图像传感器的公司。ISO 26262 ASIL-B标准定义了功能安全领域的最新技术水平。车内任何可能影响乘员安全的器件都必须符合该标准。
2023-05-26
571次
英飞凌技术智能高边开关的开路检测
智能高边开关的负载开路检测,负载开路故障主要是由两种原因引起,一种是导线断裂,另一种是负载损坏。按照要求,当汽车转向灯断开时,需要用加倍的闪烁频率来提示故障。而其他类型的负载开路故障则通常由OEM进行定义,但控制单元首先要得到故障信息,而英飞凌的智能高边芯片(PROFET)可以对开路进行检测并报告。
2023-05-11
674次
ToF 3D图像传感器与摄影和混合现实的方式
总的来说,飞行时间(或 ToF)是一种基于光的飞行时间测量物体距离的方法。ToF传感器或摄像头会发射调制红外光束,并测量从不同距离的不同表面接收到的光的相位差。该数据被转换为距离,并为照明场景提供深度。ToF传感器使用逐像素处理,这需要复杂的算法,但由于其广泛的适用性,愈发受到物流、汽车和消费电子领域的亲睐。通过在三个维度上进行扫描,ToF传感器可以创建目标对象的 3D 图像。
2023-05-11
452次
英飞凌推出EZ-PD™ USB-C PD解决方案
英飞凌介绍了EZ-PD™ CCG7D,这款双端口USB-C PD(充电)解决方案集成了用于车载充电应用的升压控制器,符合最新的USB Type-C和PD3.1规范,并获得了AEC Q-100认证。该USB-C PD解决方案可专门用于支持Display port ,即USB-C Alternate 模式的汽车应用。
2023-05-05
613次
快速开关TRENCHSTOP 5 IGBT
英飞凌的TRENCHSTOP™ 5 WR5/WR6 IGBT系列在导通和开关特性方面都具有最佳性能。特别是,当该器件与SiC二极管作为互补开关使用时,开关损耗大大降低,从而能够在超过60kHz的高开关频率下运行。此外,该IGBT系列具有优化的单片集成二极管,适用于boost PFC应用,在这种应用中,高额定电流的反并联二极管是不经济的。
2023-04-27
558次
为什么隔离型驱动芯片下面不建议布线
因为会影响正常的信号传输啊!既然是使用电气隔离型的驱动芯片,你肯定是希望原边和副边之间不要有任何牵绊,而且两者的供电是独立且符合应用隔离要求的,因此两边一般不会有电气性的连接线。那么,上桥的参考地,可不可以延展到芯片的原边侧呢?结论是也不要,毕竟空间密接是要产生耦合影响的。
2023-04-20
532次
最新汽车级EDT2芯片中单管封装的散热性能
最新汽车级EDT2芯片的器件参数Vcesat/Vth分布比较集中,器件之间电气参数差异小,并联降额比例小,可以有效提升整体输出能力。相比第三代650V IGBT3电流密度1.6A/mm2,EDT2芯片电流密度可以达到2.8A/mm2,相同封装尺寸内单管封装额定电流也在增加,芯片技术提升了产品电流能力,但单管传统散热方式成为提升有效输出电流的掣肘,且功率脚需要通过电阻焊方式连接母排实现更大负载载流。
2023-04-20
682次
英飞凌160V三相MOTIX™ 栅极驱动器6ED2742S01Q
它是一款160V栅极驱动器,用来适配低压MOSFET,继而驱动直流无刷电机,支持6V~140V的输入电压。6ED2742S01Q有一个集成的电源管理单元,包括一个线性预调器和电荷泵,能提供一个稳定的12V的VCC以驱动MOSFET。它在宽输入电压下工作,适合宽电池电压,如10.8V到96V。
2023-04-20
473次
碳化硅SiC MOSFET的设计如何平衡性能与可靠性
基于这些考虑,很明显,SiC中的平面MOSFET器件实际上有两个与氧化物场应力有关的敏感区域,如图3的左边部分所示。首先,在反向阻断模式下,漂移区和栅极氧化物界面存在高电场应力。其次,栅极和源极之间的重叠部分在导通状态下有应力。
2023-04-10
821次
绝缘体上硅SOI驱动芯片技术优势
英飞凌采用了SOI的独特设计的栅极驱动IC,从设计上带来了诸多优势。其中,最大的优势在于,SOI的二氧化硅的绝缘层,能够彻底消除体硅(Bulk CMOS)结构中衬底中的寄生PN结,从而消除了闭锁效应,提高了驱动芯片耐受负压的能力。
2023-03-30
1096次
碳化硅好在哪?英飞凌SiC MOSFET和专用栅极驱动IC告诉你
超结MOSFET或IGBT等硅基产品可用于很宽的电压范围(从几伏到几百伏不等),适合于多个功率等级,而基于碳化硅的产品则适用于大于等于650 V的电压等级(突破硅的限值,达到3 kV以上功率等级),基于氮化镓的器件更适合于650 V以下的电压等级。
2023-03-30
1255次
SiC MOSFET的短沟道效应
Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异,Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。
2023-03-24
638次
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