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  • 英飞凌的EiceDRIVER™高低边栅极驱动器IR2181STRPBF
    • 其中，英飞凌的EiceDRIVER™ 600 V 高低边栅极驱动器 IC(IR2181STRPBF)，具有典型的 1.9 A 拉电流和 2.3 A 灌电流，具有更高的带载能力，可驱动 MOSFET和IGBT，为产品从开发设计到最终应用全面保驾护航。
    2023-12-27 447次
  • 英飞凌门极驱动正压对功率半导体性能影响
    • 对于半导体功率器件来说，门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响，而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。
    2023-12-22 420次
  • 英飞凌160V MOTIX™三相栅极驱动器IC
    • MOTIX™三相栅极驱动器集成电路6ED2742S01Q是英飞凌MOTIX™品牌的新成员，该品牌通过可扩展的产品组合提供低压电机控制解决方案。它是一款160V绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器IC，采用5x5 mm² QFN-32封装，带有热效率高的裸露功率焊盘，并集成了电源管理单元(PMU)。
    2023-07-21 474次
  • 英飞凌6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板
    • 英飞凌6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板(配SiC MOSFET)。EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路，用两个栅极驱动IC 1ED3142MU12F来驱动IGBT、MOSFET和SiC MOSFET等功率开关。
    2023-06-28 534次
  • 英飞凌的 CoolSiC™ XHP™ 2 高功率模块
    • 英飞凌科技股份公司为了满足上述需求，在其 CoolSiC™功率模块产品组合中增加了两款新产品：FF2000UXTR33T2M1和 FF2600UXTR33T2M1。这些功率模块采用新开发的3.3kV CoolSiC™ MOSFET和英飞凌的.XT互连技术，封装为XHP™ 2，专门针对牵引应用量身定制。
    2023-06-28 509次
  • 辅助驾驶毫米波雷达信号处理器
    • 毫米波雷达大规模用于汽车辅助驾驶的传感器，由于受气象变化、可见光强弱影响较小，测距较精准，可以和摄像头取长补短，共同实现可靠的AEB功能。2018年版C-NCAP加入了主动安全配置(AEB)性能测试要求，而2021年版C-NCAP调高了主动安全部分权重【1】。交通运输部发布了《营运车辆自动紧急制动系统性能要求和测试规程》(JT/T1242-2019)于2019年4月1日起正式实施。该标准规定了营运车辆自动紧急制动(AEB)系统的一般要求、功能要求、环境适应性要求和测试规程。
    2023-06-28 510次
  • 英飞凌OptiMOS™ 7 40V 车规MOSFET
    • 英飞凌OptiMOS™ 7 是英飞凌开发的第五代沟槽技术，是当今领先的双多晶硅沟槽技术。无引脚封装结合铜夹技术的使用，大幅提高了产品的电流能力。该系列产品将采用业界先进的300mm薄晶圆技术进行批产。
    2023-06-28 470次
  • 英飞凌面向物联网产品的Wi-Fi 6/6E指南
    • Wi-Fi联盟在2021年1月宣布推出Wi-Fi 6E认证计划时指出：“Wi-Fi 6E将引领Wi-Fi的下一个20年。”表1给出了Wi-Fi的发展历史，以及它与电气和电子工程师协会IEEE 802.11标准之间的联系。IEEE制定了无线局域网标准和许多其他标准。Wi-Fi联盟支持IEEE所制定的Wi-Fi标准，包括认证以及世界各国政府如何分配可使用的频率等。
    2023-05-26 439次
  • 英飞凌ISO 26262 ASIL-B高分辨率车规级ToF图像传感器
    • 英飞凌是首家提供符合ISO 26262 ASIL-B功能性安全要求的高分辨率车规级ToF图像传感器的公司。ISO 26262 ASIL-B标准定义了功能安全领域的最新技术水平。车内任何可能影响乘员安全的器件都必须符合该标准。
    2023-05-26 597次
  • 英飞凌技术智能高边开关的开路检测
    • 智能高边开关的负载开路检测，负载开路故障主要是由两种原因引起，一种是导线断裂，另一种是负载损坏。按照要求，当汽车转向灯断开时，需要用加倍的闪烁频率来提示故障。而其他类型的负载开路故障则通常由OEM进行定义，但控制单元首先要得到故障信息，而英飞凌的智能高边芯片(PROFET)可以对开路进行检测并报告。
    2023-05-11 705次
  • ToF 3D图像传感器与摄影和混合现实的方式
    • 总的来说，飞行时间(或 ToF)是一种基于光的飞行时间测量物体距离的方法。ToF传感器或摄像头会发射调制红外光束，并测量从不同距离的不同表面接收到的光的相位差。该数据被转换为距离，并为照明场景提供深度。ToF传感器使用逐像素处理，这需要复杂的算法，但由于其广泛的适用性，愈发受到物流、汽车和消费电子领域的亲睐。通过在三个维度上进行扫描，ToF传感器可以创建目标对象的 3D 图像。
    2023-05-11 476次
  • 英飞凌推出EZ-PD™ USB-C PD解决方案
    • 英飞凌介绍了EZ-PD™ CCG7D，这款双端口USB-C PD(充电)解决方案集成了用于车载充电应用的升压控制器，符合最新的USB Type-C和PD3.1规范，并获得了AEC Q-100认证。该USB-C PD解决方案可专门用于支持Display port ，即USB-C Alternate 模式的汽车应用。
    2023-05-05 641次
  • 快速开关TRENCHSTOP 5 IGBT
    • 英飞凌的TRENCHSTOP™ 5 WR5/WR6 IGBT系列在导通和开关特性方面都具有最佳性能。特别是，当该器件与SiC二极管作为互补开关使用时，开关损耗大大降低，从而能够在超过60kHz的高开关频率下运行。此外，该IGBT系列具有优化的单片集成二极管，适用于boost PFC应用，在这种应用中，高额定电流的反并联二极管是不经济的。
    2023-04-27 590次
  • 为什么隔离型驱动芯片下面不建议布线
    • 因为会影响正常的信号传输啊!既然是使用电气隔离型的驱动芯片，你肯定是希望原边和副边之间不要有任何牵绊，而且两者的供电是独立且符合应用隔离要求的，因此两边一般不会有电气性的连接线。那么，上桥的参考地，可不可以延展到芯片的原边侧呢?结论是也不要，毕竟空间密接是要产生耦合影响的。
    2023-04-20 553次
  • 最新汽车级EDT2芯片中单管封装的散热性能
    • 最新汽车级EDT2芯片的器件参数Vcesat/Vth分布比较集中，器件之间电气参数差异小，并联降额比例小，可以有效提升整体输出能力。相比第三代650V IGBT3电流密度1.6A/mm2，EDT2芯片电流密度可以达到2.8A/mm2，相同封装尺寸内单管封装额定电流也在增加，芯片技术提升了产品电流能力，但单管传统散热方式成为提升有效输出电流的掣肘，且功率脚需要通过电阻焊方式连接母排实现更大负载载流。
    2023-04-20 722次
  • 英飞凌160V三相MOTIX™ 栅极驱动器6ED2742S01Q
    • 它是一款160V栅极驱动器，用来适配低压MOSFET，继而驱动直流无刷电机，支持6V~140V的输入电压。6ED2742S01Q有一个集成的电源管理单元，包括一个线性预调器和电荷泵，能提供一个稳定的12V的VCC以驱动MOSFET。它在宽输入电压下工作，适合宽电池电压，如10.8V到96V。
    2023-04-20 500次
  • 碳化硅SiC MOSFET的设计如何平衡性能与可靠性
    • 基于这些考虑，很明显，SiC中的平面MOSFET器件实际上有两个与氧化物场应力有关的敏感区域，如图3的左边部分所示。首先，在反向阻断模式下，漂移区和栅极氧化物界面存在高电场应力。其次，栅极和源极之间的重叠部分在导通状态下有应力。
    2023-04-10 852次
  • 绝缘体上硅SOI驱动芯片技术优势
    • 英飞凌采用了SOI的独特设计的栅极驱动IC，从设计上带来了诸多优势。其中，最大的优势在于，SOI的二氧化硅的绝缘层，能够彻底消除体硅(Bulk CMOS)结构中衬底中的寄生PN结，从而消除了闭锁效应，提高了驱动芯片耐受负压的能力。
    2023-03-30 1141次
  • 碳化硅好在哪?英飞凌SiC MOSFET和专用栅极驱动IC告诉你
    • 超结MOSFET或IGBT等硅基产品可用于很宽的电压范围(从几伏到几百伏不等)，适合于多个功率等级，而基于碳化硅的产品则适用于大于等于650 V的电压等级(突破硅的限值，达到3 kV以上功率等级)，基于氮化镓的器件更适合于650 V以下的电压等级。
    2023-03-30 1290次
  • SiC MOSFET的短沟道效应
    • Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。
    2023-03-24 665次
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