h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 行业资讯>英飞凌>英飞凌IGBT单管命名规则
英飞凌IGBT单管命名规则
2022-09-21 1202次


  英飞凌IGBT单管以发布时间(2013年3月)为界,分为两套系统。

  一.对于2013年3月前发布的器件,命名规则如下图所示,主要信息包括:

  1.料号:

  Grp1:品牌

  Grp2:Devicetype-芯片类型(是否有续流二极管)

  Grp3:Packgae-封装形式

  Grp4:Nominalcurrent-标称电流

  Grp5:Techclass-技术类型(N-channel-N通道.TRENCHSTOPTM--新微通道技术)

  Grp6:Nominal-系列

  Grp7:Specification-电压等级

  Grp8:芯片类型.是否为汽车级芯片

  2.激光打标格式:

  单管塑封上会有激光标记,可以说是材料编号“昵称“或“印字”-用较少的字母来表达丰富的特征。IHW20N120R这个装置,它封装上的标志是H20R1203,每个数字的意义和命名规则都是一样的,如下图所示:

  Grp2:Devicetype-芯片类型(是否有续流二极管)

  Grp4:Nominalcurrent-标称电流

  Grp6:Nominal-系列

  Grp7:Specification-电压等级


  

  二.设备命名规则于2013年3月后发布:

  1.料号:

  Grp1:品牌OPTIMIZATION

  Grp2:Devicetype-芯片类型(是否有续流二极管)

  Grp3:Packgae-封装形式:封装形式从6种扩展到11种,包括:TO247-4pin,TO247plus-3pin/4pin,高级绝缘的TO2473pin,以及使用烧结技术TO2633pin。由于新封装形式层出不穷,说明封装的第三位将继续扩大,不断创新。

  Grp4:Nominalcurrent-标称电流

  Grp5:Techclass-技术类型(N-channel-N通道.TRENCHSTOPTM--新微通道技术)

  Grp6:Nominal-系列

  Grp7:Diode-二极管类型:反并联二极管类型(EmCon,rapid1,rapid2)、电流水平是否和IGBT相同,如果相同,则标为fullrated。

  Grp8:OPTIMIZATION-代表着IGBT类型,可以在这套命名规则中看到IGBT与上一代相比,芯片类型很多,从TRENCHSTOP™2到最新的TRENCHSTOP™7一应俱全。

  Grp绝缘方案:高级绝缘方案:TO2473pin最后一个商品可能有一个字母E,这个字母E代表了最具成本效益的高级绝缘方案。如果省略,则默认为性能最好的高级绝缘方案。

  2.激光打标格式:规则和上一代也有很大的变化,值得注意的是两点:

  1.电压等级(第三位数)不再给出数字,而是用字母代替。字母和电压的对应规则如表1所示。你说看起来没有规则?是的,是时候测试你的记忆了。

  2.二极管信息(是否为全电流二极管)在激光打标第四位以上给出,其规则与上图中材料编号的命名规则相同group7。

  • Neutron Controls与英飞凌合作汽车电池管理平台
  • 英飞凌科技的解决方案可帮助工程师开发可靠的汽车电池管理系统(BMS)。英飞凌首选设计公司Neutron Controls现已发布ECU8™系统平台,能够加速基于英飞凌芯片组的电池管理系统(BMS)开发。通过该平台,Neutron Controls及其设计服务客户可以为电池管理单元提供完整的半导体硬件和软件平台解决方案,并符合ASIL-D, ISO26262标准,从而显著减少开发工作量。
    2023-10-30 196次
  • 英飞凌完成收购氮化镓系统公司GaN Systems
  • 德国慕尼黑和加拿大渥太华讯——英飞凌科技于2023年10月24日宣布完成收购氮化镓系统公司(GaN Systems,以下同)。这家总部位于加拿大渥太华的公司,为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。
    2023-10-30 176次
  • 英飞凌采用150V OptiMOS功率MOSFET 电机驱动评估板
  • EVAL-6ED2742S01QM1评估套件包括一块三相逆变功率板,内含额定电压为160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相栅极驱动器,驱动六个额定电压为150V的 OptiMOS™ MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。
    2023-10-25 216次
  • 英飞凌携手英飞源拓展新能源汽车充电市场
  • 英飞凌科技宣布与中国的新能源汽车充电市场领军企业英飞源达成合作。英飞凌将为英飞源提供业内领先的1200 V CoolSiC™ MOSFET功率半导体器件,用于提升电动汽车充电站的效率。
    2023-10-12 218次
  • 英飞凌新能源“东风”下的碳化硅(SiC)
  • 所谓第三代半导体,指的是以碳化硅(SiC)、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,具备高频、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,因此在新能源车、光伏、风电、5G基站、高铁等领域有着很大应用潜力。
    2023-07-07 303次

    万联芯微信公众号

    元器件现货+BOM配单+PCBA制造平台
    关注公众号,优惠活动早知道!
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部