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特性

• 内部18mΩ R_DS(ON) MOSFET
• 跳脉冲模式在轻载条件下可实现高效率(MAX15050)
• 4A连续输出电流
• 在整个负载、电源电压和温度变化范围内，输出电压精度保持在±1%
• 工作在2.9V至5.5V电压
• 0.6V至(0.9 x V_IN)可调输出电压
• 可调节软启动减小浪涌电流
• 工厂校准的1MHz开关频率
• 兼容陶瓷、聚合物和电解输出电容
• 安全启动至预偏置输出
• 使能输入/电源就绪输出
• 过流和过热完全保护
• 打嗝式过载保护
• DDR应用中吸入/源出电流
• 2mm x 2mm、16焊球(4 x 4阵列)、0.5mm焊球间距的WLP封装

产品详情和应用

MAX15050/MAX15051高效开关调节器在0.6V至(0.9 x V_IN)输出电压范围内可提供高达4A的负载电流。器件工作电压为2.9V至5.5V，非常适合板载负载点和后置稳压系统。在整个负载、电源电压和温度变化范围内，输出电压总精度保持在±1%以内。

MAX15050/MAX15051采用1MHz固定频率PWM工作模式。MAX15050具有跳脉冲模式，可提高轻载条件下的效率。MAX15050在单调软启动后，根据输出负载电流情况选择工作在强制PWM模式或跳脉冲模式。MAX15051单调软启动后，工作在强制PWM模式。较高的工作频率允许采用小尺寸外部元件。

片内低阻nMOS开关保证在重载下具有高效率，并将寄生电感降至最小，与分立方案相比，大大简化了布局。简单的布局和封装可确保新设计的一次通过率。

MAX15050/MAX15051采用宽带(> 26MHz)电压误差放大器。电压模式控制架构和电压误差放大器允许使用III型补偿机制，从而获得最大的环路带宽(高达200kHz)。较宽的环路频带能够支持快速瞬态响应，只需较小的输出电容，并允许采用全陶瓷电容设计。

MAX15050/MAX15051在高边和低边MOSFET上均具有打嗝式输出过载保护和峰值电流限制，发生短路、严重过载时，或在具有大电解电容的转换器中，能够确保安全工作。

MAX15050/MAX15051具有可调输出电压。输出电压可通过反馈端的2个外部电阻调整，或者在REFIN/SS输入施加外部基准电压进行调节。MAX15050/MAX15051提供可编程软启动时间，通过电容设置，以减小输入浪涌电流。内置热关断保护功能确保在任何条件下安全工作。MAX15050/MAX15051采用2mm x 2mm、16焊球(4 x 4阵列)、0.5mm焊球间距的WLP封装。

应用

• ASIC/CPU/DSP核与I/O供电
• 基站电源
• DDR电源
• 负载点
• 便携式应用
• RAID控制电源
• 服务器电源
• 电信与网络电源