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英飞凌CoolSiC™及AURIX™ 2G助力燃料电池汽车行业
2022-11-25 678次

  氢能源是公认的最洁净的燃料,被称为“21世纪的终极能源”。在“双碳”背景下,氢燃料电池汽车成为新能源汽车的新风口。与锂电池电动车相比,氢燃料电池汽车具有清洁无污染、续航里程长、加注时间短等优势。近年来,随着各地纷纷出台了支持氢能产业的政策,氢燃料电池行业迎来爆发,相关技术也日渐成熟、商业应用加速实现落地。

  英飞凌科技股份公司的CoolSiC™和AURIX™ 2G单片机被国内领先的燃料电池核心电控系统解决方案提供商-上海氢恒汽车电子有限公司选用,应用于其自主研发的量产燃料电池控制器上。近日,氢恒旗下搭载着英飞凌这两款器件的35kW燃料电池高速空压机控制器(ACU)和集成控制器(XCU)产品开始向国内头部客户陆续批量交付,第一批次各100台套已集中下线并顺利完成交付。



  氢恒燃料电池高速空压机控制器基于英飞凌AURIX™ 2G TC387单片机和车规级SiC MOSFET FF08MR12W1MA1_B11A模块,控制器相电流最大可达75Arms,电机最高转速超过150,000rpm,相电流总谐波畸变率(THD)小于2.5%,EMC满足严苛的CLASS 3等级,是国内首款基于英飞凌车规级SiC MOSFET模块的燃料电池空压机控制器量产产品。发挥了AURIX™ 2G单片机TC387及配套电源芯片TLF35584功能安全优势的燃料电池集成控制器,亦成为国内率先发布的符合功能安全要求的高性能氢燃料电池集成控制器产品。



  肖洋 氢恒总经理

  “英飞凌多年来一直引领着功率半导体的发展,其器件应用在我们自主研发的燃料电池电控系统及产品中各项测试验证均表现优异。高可靠性、卓越质量和创新性的半导体器件应用,对于我们在研发技术和在国际市场上保持竞争力至关重要,我们一直与英飞凌保持着长期的合作。氢燃料电池汽车的发展前景非常广阔,未来希望双方继续深化合作、携手共进,加速推动燃料电池汽车产业商业化落地进程。”


  仲小龙 英飞凌科技大中华区高级总监、动力与新能源系统业务单元负责人

  “我们非常重视本土市场的发展,为节能减排以及高效能源利用竭尽所能,使车辆变得更安全、更节能和更经济。氢恒是我们布局氢燃料汽车领域的重要合作伙伴之一,其已量产的燃料电池空压机控制器和集成控制器,是双方合作发展并取得共赢的结果,也为我们将来更多关于燃料电池电控系统领域的合作奠定了坚实的基础。”

  应对全球气候变化挑战,在碳减排和提高能源效率的目标驱动下,创新的半导体是驱动燃料电池汽车和未来交通实现碳中和的基础。英飞凌深耕汽车电子领域长达40余年,居全球汽车半导体领域的首位。英飞凌将以此为基础,发力燃料汽车领域,持续地提高在创新、质量和效率等方面的水平,助力本土燃料汽车产业商业化发展。


  英飞凌AURIX™介绍

  2018年,英飞凌推出了采用40纳米工艺的AURIX™ 2G TC3xx,相比TC2xx, TC3xx 在性能、扩展性、存储、安全性和应用场景等几个方面都有进一步的提升,极其适合用在混合域、逆变器、电池管理和DC-DC变换器等新能源汽车架构以及关键的安全应用中,从安全气囊、制动、电子助力转向,到雷达、传感器融合的控制等,强大的安全架构使TC3xx成为域控制和数据融合的绝配,助力自动驾驶的不断演化。

  2024年下半年,英飞凌计划开始量产采用28纳米工艺技术生产的新AURIX™ TC4x。AURIX™ TC4x系列微控制器可广泛应用于新一代电动汽车、高级驾驶辅助系统(ADAS)、汽车电子电气(EE)架构、新能源多合一系统、动力域等应用。


  英飞凌SiC介绍

  英飞凌早在上个世纪90年代的时候,就开始了碳化硅技术的布局,到目前为止,已经有近30年的技术积累。如今,英飞凌针对多种新能源汽车应用,陆续推出了广泛的SiC系统解决方案,以及全方位的车规级产品。针对不同应用的需求,英飞凌SiC产品将包括分立器件、Easy module、HybridPACK™ Drive 模块和Double side cooling封装的产品。在每个封装形式下,又会衍生出不同RDSon的产品。针对应用不同的电池电压,英飞凌SiC包括750V和1200V耐压的产品。

  SiC是近年非常受欢迎的衬底材料,相比Si基材料而言,有高结温、高耐压和高频率的优势。就半导体材料而言,SiC比Si有更多优势,例如禁带宽度是Si的2.9倍,击穿电场是Si的12倍,热导率是Si的3.3倍,而工作结温是Si的1.3倍。

  对于SiC芯片现有的平面型结构和沟槽型结构来说,英飞凌CoolSiC™ MOSFET采用的是非对称的沟槽型结构。而英飞凌SiC芯片在栅极氧化层附近,采用了抑制电场强度的设计,能够有效的提高SiC MOSFET栅极氧化层的可靠性。

  • 英飞凌的EiceDRIVER™高低边栅极驱动器IR2181STRPBF
  • 其中,英飞凌的EiceDRIVER™ 600 V 高低边栅极驱动器 IC(IR2181STRPBF),具有典型的 1.9 A 拉电流和 2.3 A 灌电流,具有更高的带载能力,可驱动 MOSFET和IGBT,为产品从开发设计到最终应用全面保驾护航。
    2023-12-27 136次
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  • 对于半导体功率器件来说,门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响,而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗,开关损耗和短路性能来分别讨论。
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    2023-06-28 274次
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    2023-06-28 232次

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