h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 新品资讯>安森美>安森美推出TCPAK57封装MOSFET
安森美推出TCPAK57封装MOSFET
2022-11-30 838次


  新的Top Cool器件采用TCPAK57封装,尺寸仅5 mm x 7 mm,在顶部有一个16.5 mm2的热焊盘,可以将热量直接散发到散热器上,而不是通过传统的印刷电路板(以下简称“PCB”)散热。采用TCPAK57封装能充分使用PCB的两面,减少PCB发热,从而提高功率密度。新设计的可靠性更高从而增加整个系统的使用寿命。



  安森美副总裁兼汽车电源方案总经理Fabio-Necco说:"冷却是大功率定制的最大挑战之一。成功解决这个问题对于减小尺寸和重量尤为重要,这也是现代汽车设计的关键考虑因素。我们的新风格TopCoolMOSFET不仅表现出优异的电气效率,而且消除了PCB中热路径,然后显著简化设计,减小尺寸,降低成本。"这些设备提供大功率应用所需的电气效率,RDS(ON)值低到1mΩ。而且栅极电荷(Qg)低(65nC),从而减少高速开关的消耗。

  安森美利用其强大的包装知识,为行业提供最高的功率密度方案。首发的。TCPAK57产品组合包含4007V,60V和80V。所有这些器件都可以在1755°C的结温(Tj)工作,并符合AEC-Q101车规认证及生产件许可程序(PPAP)。此外,欧翼封装支持点焊检查,实现优异的板级可靠性,特别适用于要求严格的汽车应用。目标应用是高/中功率电机控制,如电动助力转向和油泵。

  安森美现在提供这些新设备的样品,计划于2023年1月开始全面量产。

  • 安森美推出第七代SPM31智能功率模块 (IPM)
  • onsemi安森美推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比, SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高,因而总体系统成本更低。
    2024-02-28 366次
  • 安森美(onsemi)推出的超高能效1200V IGBT
  • 安森美(onsemi)推出的超高能效1200V IGBT,具备业界领先的性能水平,能最大程度降低导通损耗和开关损耗,助力客户的系统设计。
    2023-12-21 388次
  • 安森美1700 V EliteSiC MOSFET碳化硅SiC系列
  • 新的1700 V EliteSiC器件提供出色的能效和更低的功率损耗,加强了我们EliteSiC系列产品在性能和品质方面的高标准,同时也进一步扩大了安森美EliteSiC的深度和广度。 EliteSiC系列产品碳化硅(SiC)。
    2023-01-07 779次
  • 安森美NCD83591 60 V、3相栅极驱动器
  • NCD83591是一款60 V、3相栅极驱动器,专为无刷直流,简称“BLDC电机应用而设计,集成了三个独立的半桥驱动器和一个检测放大器,以提供简单易用的栅极驱动器。
    2022-12-10 626次
  • 安森美推出TCPAK57封装MOSFET
  • 新的Top Cool器件采用TCPAK57封装,尺寸仅5 mm x 7 mm,在顶部有一个16.5 mm2的热焊盘,可以将热量直接散发到散热器上,而不是通过传统的印刷电路板(以下简称“PCB”)散热。
    2022-11-30 839次

    万联芯微信公众号

    元器件现货+BOM配单+PCBA制造平台
    关注公众号,优惠活动早知道!
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部