全新第7代1200V IGBT
安森美(onsemi)推出的超高能效1200V IGBT,具备业界领先的性能水平,能最大程度降低导通损耗和开关损耗,助力客户的系统设计。
全新FS7 S系列采用新颖的场截止第7代IGBT和二极管技术,集成一个经优化的二极管以实现低VF 、微调的开关软度,可在高达175°C的结温 (TJ) 下工作。FGY140T120SWD在市场上现有的1200V IGBT中具有领先的开关性能。
储能系统方案
电池可以用来储存太阳能等可再生能源在高峰时段产生的能量,这样当环境条件不太有利于发电时,就可以利用这些储存的能量。
了解电池储能系统 (BESS) 的设计挑战和考虑因素、常用拓扑结构以及选择最适合您要求的电源转换半导体器件的技巧。
首次精确仿真
Elite Power Simulator在线仿真工具和PLECS模型自助生成工具,使工程师在开发周期的早期阶段,通过对复杂电力电子应用进行系统级仿真,获得有价值的参考信息。
Elite Power仿真工具通过引领业界的PLECS模型推动先进技术的发展,这些模型适用于DC-DC LLC和CLLC谐振、双有源桥和相移全桥等硬开关和软开关应用。
150V N沟道MOSFET
屏蔽栅PowerTrench
安森美屏蔽栅 PowerTrench® MOSFET将导通电阻降至尽可能低,并通过领先的软体二极管保持卓越的开关性能。与其他MOSFET相比,这些MOSFET的Qrr更低。
IGBT模块 A-Type NPC
1000V, 800A IGBT
NXH800A100L4Q2包含一个A-Type NPC级,集成1000V FS4 IGBT、1000V极快二极管和一个NTC热敏电阻。