h1_key

特性

• 具正激式 / 反激式控制器的 IEEE 802.3af/at 和 LTPoE++^™ 90W 受电设备 (PD)
• LT4276A 支持所有下列标准：
  • LTPoE++ 38.7W、52.7W、70W 和 90W
  • 符合 IEEE 802.3at (25.5W) 规范
  • 符合 IEEE 802.3af (高达 13W) 规范
• LT4276B 符合 IEEE 802.3at/af 规范
• LT4276C 符合 IEEE 802.3af 规范
• 出众的浪涌保护能力 (100V 绝对最大值)
• 宽结温范围 (–40°C 至 125°C)
• 低至 9V 的辅助电源支持
• 反激式操作无需光隔离器
• 外部热插拔 N 沟道 MOSFET 用于实现最低的功率耗散和最高的系统效率
• 利用 LT4321 理想二极管桥可实现>94% 的端到端效率
• 采用 28 引脚 4mm x 5mm QFN 封装

产品详情和应用

LT^®4276 是一个引脚对引脚兼容的 IEEE 802.3 和 LTPoE++ 受电设备 (PD) 控制器系列。该器件包括一个能够在正激式和反激式拓扑中执行同步操作的隔离式开关稳压控制器，并具有辅助电源支持能力。

LT4276A 采用 LTPoE++ 分级方案，可在 PD RJ45 连接器上接收 38.7W、52.7W、70W 或 90W 的功率，并返回兼容 IEEE 802.3 标准。LT4276B 是一款完全符合 IEEE 802.3at 25.5W Type 2 (PoE+) 规格的 PD。LT4276C 则是一款完全符合 IEEE 802.3af 13W Type 1 (PoE) 规格的 PD。

LT4276 支持正激式和反激式电源拓扑，可针对众多的 PoE 应用进行配置。反激式拓扑支持 No-Opto 反馈。只需采用一个连接至 AUX 引脚的电阻分压器即可准确地检测辅助输入电压。

LT4276 利用一个外部低 R_DS(ON) N 沟道 MOSFET 以实现热插拔功能，从而较大限度地提高了供电能力和效率、降低了热耗散、并且简化了热设计。

• 高功率无线数据系统
• 室外安保摄像设备
• 商业和公共信息显示器
• 高温应用