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ADN2850

量产

非易失性存储器、双通道1024位数字电阻

ADI亚德诺 ADN2850 产品介绍
2026-03-09 0次

特性


  • 双通道、1024位分辨率
  • 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ
  • 标称电阻容差误差:±8%(最大值)
  • 低温度系数:35 ppm/°C
  • 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源
  • 电流监控可配置功能
  • SPI兼容型串行接口
  • 非易失性存储器存储游标设置
  • 加电刷新EEMEM设置
  • 永久性存储器写保护
  • 电阻容差储存于EEMEM中
  • 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息
  • 1M编程周期
  • 典型数据保留期:100年

产品详情和应用


ADN2850是一款双通道非易失性存储器和1024步分辨率的数字控制电阻器,保证最大电阻容差误差仅为±8%。该器件可实现与机械可变电阻器相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。ADN2850通过SPI®兼容型串行接口进行多功能编程,提供16种工作和调整模式,包括:暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/步对数抽头调整、游标设置回读、以及用于存储其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等用户自定义信息的额外EEMEM。

在暂存编程模式下,可以直接将具体设置编程至RDAC寄存器,使其设置W端与B端之间的电阻。该设置信息可以存储于EEMEM之中,系统加电时会自动恢复至RDAC寄存器。

EEMEM内容可以动态恢复,也可通过外部PR选通恢复;EEMEM中的内容由一个WP函数加以保护。为了简化编程,可以利用独立或同步线性步进递增或递减命令来上下移动RDAC游标,一次一步。对于游标设置中的对数±6 dB变化,可以利用左/右位移命令来倍增或减半RDAC游标设置。

ADN2850的模式电阻容差存储在EEMEM中。因此,实际的满量程电阻可以通过主机处理器在回读模式得知。主机可以通过软件程序执行适当的电阻步进,这样可以简化开环应用以及精密校准和容差匹配应用。

ADN2850采用5 mm × 5 mm 16引脚架构芯片级 LFCSP和薄型16引脚TSSOP封装。保证工作温度范围为−40°C至+85°C扩展工业温度范围。

应用

  • SONET、SDH、ATM、千兆以太网、DWDM激光二极管驱动器、光学监控系统
  • 机械变阻器的替代产品
  • 仪器仪表增益调整
  • 可编程滤波器、延迟、时间常数
  • 传感器校准
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