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长电科技4纳米芯片封装技术
2023-01-14 750次

  长电科技公司在先进封测技术领域又取得新的突破,实现4纳米(nm)工艺制程手机芯片的封装,以及CPU、GPU和射频芯片的集成封装。4纳米芯片是5纳米之后、3纳米之前,先进的硅节点技术,也是导入小芯片(Chiplet)封装的一部分。作为集成电路领域的顶尖科技产品之一,4纳米芯片可被应用于智能手机、5G通信、人工智能、自动驾驶,以及包括GPU、CPU、现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等产品在内的高性能计算(HPC)领域。


长电科技4纳米芯片封装技术


  在市场的不断推动下,包括消费电子等领域产品不断朝向小型化与多功能化发展,芯片尺寸越来越小、种类越来越多,对先进封测技术的需求也越来越高。诸如4纳米等先进工艺制程芯片,需要先进的封装技术以确保其更好的系统级电学、热学性能。

  同时,封装技术也在向多维异构发展。相比于传统的芯片叠加技术,多维异构封装通过导入硅中介层、重布线中介层及其多维结合,来实现更高维度芯片封装。该中介层封装的另一特点是能够优化组合不同的密度布线和互联从而达到性能和成本的有效平衡。


长电科技4纳米芯片封装技术


  长电科技的XDFOI™多维先进封装技术,就是一种面向小芯片的极高密度、多扇出型封装高密度异构集成解决方案,其利用协同设计理念实现了芯片成品集成与测试一体化,涵盖2D、2.5D、3D集成技术,能够为客户提供从常规密度到极高密度,从极小尺寸到极大尺寸的一站式服务。

  • 长电科技面向5G射频功放推出的高密度异构集成SiP解决方案
  • 长电科技面向5G射频功放打造的高密度异构集成SiP解决方案,具备高密度集成、高良品率等显著优势。●该方案通过工艺流程优化、辅助治具和设备升级等措施,将模组密度提升至上一代产品的1.5倍。●该方案采用的背面金属化技术有效提高模组的EMI屏蔽;并使用激光辅助键合来克服传统的回流键合问题。
    2023-06-20 628次
  • 长电科技晶圆级封装与传统封装有哪些不同?
  • 相比焊线封装,晶圆级封装省去了导线和基板,从而实现了更小的芯片面积和更高的封测效率。每颗芯片也因此获得更优的电热性能和更低的成本优势。
    2023-01-14 955次
  • 长电科技多芯片堆叠封装技术(下)
  • 在上期长电科技多芯片堆叠封装技术(上)中,对长电科技了解了多芯片堆叠封装技术的优势,以及芯片减薄、切割等多芯片堆叠封装的关键工艺。本期继续向您介绍芯片贴合等关键工艺,以及多芯片堆叠工艺的控制等内容。
    2023-01-14 763次
  • 长电科技多芯片堆叠封装技术(上)
  • 多芯片堆叠封装关键工艺 之芯片减薄、切割研磨后切割 主要针对较厚的芯片(厚度需求>60um),属于较传统的封装工艺,成熟稳定。晶圆在贴上保护膜后进行减薄作业,再使用刀片切割将芯片分开。适用于大多数的封装。
    2023-01-14 1124次
  • 长电科技4纳米芯片封装技术
  • 长电科技公司在先进封测技术领域又取得新的突破,实现4纳米(nm)工艺制程手机芯片的封装,以及CPU、GPU和射频芯片的集成封装。4纳米芯片是5纳米之后、3纳米之前,先进的硅节点技术,也是导入小芯片(Chiplet)封装的一部分。
    2023-01-14 751次

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