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  Vishay TrenchFET® Gen V MOSFET

  ●节省空间型器件所需 PCB 空间比 PowerPAIR 6x5F 封装减少 63%

  ●有助于减少元器件数量并简化设计

  威世科技推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET，将高边和低边 TrenchFET® Gen V MOSFET组合在3.3mm x 3.3 mmPowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 适用于计算和通信应用功率转换，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化设计。

  目前发布的双通道 MOSFET 可用来取代两个 PowerPAK 1212 封装分立器件，节省 50% 基板空间，同时占位面积比 PowerPAIR 6x5F 封装双片 MOSFET 减小 63%。MOSFET 为 USB-C 电源笔记本电脑、服务器、直流冷却风扇和通信设备同步降压转换器、负载点(POL)转换电路和 DC/DC 模块设计人员提供节省空间。这些应用中，SiZF5302DT 高低边 MOSFET 提供了 50% 占空比和出色能效的优质效果，特别是在 1 A 到 4 A 电流条件下。而 SiZF5300DT 则是 12 A 到 15 A 重载的理想解决方案。

  SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 利用 Vishay 的 30 V Gen V 技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V 和 4.5 V 下典型导通电阻分别为 2.02 mΩ 和 2.93 mΩ， SiZF5302DT 相同条件下导通电阻分别为 2.7 mΩ 和 4.4 mΩ。两款 MOSFET 4.5 V 条件下典型栅极电荷分别为 9.5 nC 和 6.7 nC。超低导通电阻与栅极电荷乘积，即 MOSFET 功率转换应用重要优值系数(FOM)，比相似导通电阻的前代解决方案低 35 %。高频开关应用效率提高 2%，100 W 能效达到 98%。

  与前代解决方案对比

  器件采用倒装芯片技术增强散热能力，独特的引脚配置有助于简化 PCB 布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 经过 100% Rg 和 UIS 测试，符合 RoHS 标准，无卤素。

  器件规格表