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Vishay威世172 RLX 系列 汽车级微型铝电解电容
2023-03-02 590次

  Vishay BCcomponents 172 RLX 系列

  ●器件符合 AEC-Q200 标准

  纹波电流比上一代解决方案提高 54 %,并减小了外形尺寸

  Vishay 推出新系列低阻抗、汽车级微型铝电解电容器,性能高于上一代解决方案,并减小了外形尺寸。Vishay BCcomponents 172 RLX 系列电容器纹波电流高达 4.9 A,可在 +105 ˚C 高温下工作,使用寿命长达 10,000 小时,从 10 mm x 12 mm 到 18 mm x 40 mm 提供 14 种外形尺寸规格。


Vishay威世172 RLX 系列 汽车级微型铝电解电容


  与上一代解决方案相比,日前发布的电容器符合 AEC-Q200 标准,外形尺寸更小,给定封装和电压器件阻抗更低,容量更高,相同额定电容-电压(CV)下,纹波电流提高 54%。例如,上一代解决方案 1,000 µF / 10 V 额定 CV 器件采用 10 mm x 16 mm 封装,纹波电流为 1,100 mA,172 RLX 系列电容器采用 10 mm x 12 mm 封装,纹波电流达 1,700 mA。因此,设计人员可以使用更少的元器件,提高设计灵活性并节省电路板空间。

  172 RLX 系列电容器采用径向引线,蓝色套筒绝缘的圆柱形铝外壳,带有减压装置,额定电压高达 50 V,容量为 150 µF 至 15,000 µF,+20 ˚C 条件下阻抗低至 0.011Ω。电容器具有防充放电功能。

  作为采用非固态电解质的极化铝电解电容器,这些符合 RoHS 标准的器件适合用于工业、汽车、通信、音频-视频、电子数据处理(EDP)应用中开关电源、DC/DC 转换器、电机驱动、控制单元的平滑、滤波和缓冲。


  器件规格表


Vishay威世172 RLX 系列 汽车级微型铝电解电容
  • 意法半导体STM32N657I0H3Q微控制器深度解析
  • STM32N657I0H3Q是意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能ARM Cortex-M55内核微控制器(MCU),属于STM32N6系列中的旗舰型号。该芯片采用16nm FinFET先进制程工艺,主频高达800MHz,集成4.2MB连续SRAM,并融合了神经网络加速器、图形处理单元(GPU)及多模态外设接口,专为实时信号处理、边缘AI及复杂嵌入式系统设计。
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  • 意法半导体STM32N655X0H3Q微控制器功能深度分析
  • STM32N655X0H3Q基于ARM® Cortex®-M55内核设计,主频高达800MHz,并集成Helium矢量处理技术,显著提升了DSP级运算效率。该技术通过单指令多数据(SIMD)架构优化矢量运算,在音频处理、数字滤波等场景中可实现超40%的算法加速。
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  • 意法半导体STM32N655L0H3Q产品综合介绍
  • STM32N655L0H3Q基于意法半导体最新STM32N6系列设计,采用16nm FinFET先进工艺,搭载Arm Cortex-M55内核,主频高达800MHz,并集成ArmHelium矢量处理技术,显著提升了信号处理能力和指令执行效率。其架构优化使得该芯片在复杂算法处理、高精度计算等场景下表现优异,例如在工业控制中可快速响应多任务调度需求。
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  • 意法半导体STM32N655A0H3Q:专为边缘AI应用设计
  • STM32N655A0H3Q是意法半导体(STMicroelectronics)推出的STM32N6系列高性能微控制器旗舰型号,专为边缘AI应用设计,结合了传统MCU的低功耗、高集成度特性与专用AI加速单元的算力优势,成为工业控制、智能终端及物联网领域的革新性解决方案。
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  • 意法半导体STM32N6首款‌边缘AI应用MCU系列详解
  • STM32N6系列是意法半导体(ST)推出的首款专为‌边缘AI应用‌设计的高性能微控制器(MCU),采用‌MCU+NPU异构架构‌,在低功耗、低成本基础上实现MPU级的AI算力。其核心亮点包括: ‌先进工艺‌:基于16nm FinFET工艺,显著提升能效与集成度。 ‌高性能内核‌:搭载800MHz主频的Arm®Cortex®-M55CPU,支持‌Helium矢量处理技术‌,强化DSP运算能力,可实现数据预处理与后处理。
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