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特性

• 非常低的 V_IN(MIN)：1.5V
• 超快的瞬态响应
• 真正的电流模式控制
• 用于 N 沟道 MOSFET 的 5V 驱动免除了 5V 辅助电源
• 无需检测电阻器
• 采用标准的 5V 逻辑电平 N 沟道 MOSFET
• V_OUT(MIN)：0.4V
• V_OUT 跟踪 1/2 V_IN 或外部 V_REF
• 对称的供应和吸收输出电流限制
• 可调的开关频率
• t_ON(MIN) < 100ns
• 电源良好输出电压监视器
• 可编程软启动
• 输出过压保护
• 任选的短路停机定时器
• 小外形 24 引脚 SSOP 封装
  
  

产品详情和应用

LTC^®3718 是一款用于 DDR 和 QDR^™ 存储器终端的高电流、高效率同步开关稳压控制器。该器件采用一个低至 1.5V 的输入工作，并提供一个等于 (0.5)V_IN 的稳定输出电压。该控制器采用一种谷值电流控制架构以实现高工作频率和非常低的接通时间，而无需使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择，并针对 V_IN 及 V_OUT 中的变化进行补偿。LTC3718 采用一对标准的 5V 逻辑电平 N 沟道外部 MOSFET，从而免除了增设昂贵 P 沟道或低门限器件的需要。

强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。故障保护由内部折返电流限制、一个输出过压比较器和任选的短路停机定时器提供。针对电源排序的软启动能力可采用一个外部定时电容器来实现。OPTI-LOOP^® 补偿的运用使得能够在一个很宽的负载和输出电容数值范围内优化瞬态响应。

• 总线终端：DDR/QDR 存储器、SSTL、HSTL …
• 服务器、RAID 系统
• 分布式电源系统
• 同步降压和通用升压