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特性

• 非反射50Ω设计
• 正控制电压： 0/+3.3V
• 低插入损耗： 0.68 dB (8.0 GHz时)
• 高隔离度： 48 dB (8.0 GHz时)
• 高功率处理：
  • 35 dBm（通过路径）
  • 27 dBm（端接路径）
• 高线性度：
  • 1 dB压缩(P1dB)：37 dBm（典型值）
  • 输出三阶交调截点(IIP3)：62 dBm（典型值）
• ESD额定值： 2kV 人体模型(HBM)
• 3 x 3 mm 16引脚LFCSP封装
• 无低频杂散
• 建立时间（最终RFOUT的0.05 dB裕量）：7.5 μs

产品详情和应用

HMC1118是一款通用、宽带、非反射式单刀双掷(SPDT)开关，采用LFCSP表贴封装。该开关频率范围为9 kHz至13.0 GHz，具有高隔离度和低插入损耗。该开关具有48 dB以上的隔离性能，8.0 GHz及以下频率时的插入损耗为0.68 dB，最终RFOUT的0.05 dB裕量的建立时间为7.5 μs。该开关采用+3.3 V和0 V的正控制电压逻辑线路工作，需要+3.3 V和−2.5 V电源供电。仅施加一个正电源电压而负电源电压(VSS)接地时，HMC1118的工作频率范围不变，并且仍能保持良好的功率处理性能。该器件采用3 mm × 3 mm表贴LFCSP封装。

• 测试仪器仪表
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
• 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)
• 光纤和宽带电信