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ADI亚德诺 ADRF5060 产品介绍
2026-03-09
0次
特性
- 宽带频率范围：100 MHz至20 GHz
- 具有片内50 Ω端电极的非反射设计
- 低插入损耗
- 0.7 dB（典型值）至12 GHz（外部路径）
- 0.95 dB（典型值）至20 GHz（外部路径）
- 1.15 dB（典型值）至12 GHz（直通路径）
- 1.3 dB（典型值）至20 GHz（直通路径）
- 高隔离度
- 50 dB（典型值）至12 GHz
- 42 dB（典型值）至20 GHz
- 高输入线性度
- P0.1dB：>33 dBm（典型值）
- 输入IP3：>58 dBm（典型值）
- 高RF输入功率
- 30 dBm外部路径
- 18 dBm端接路径
- 30 dBm热切换
- ESD额定值
- HBM：±1.25 kV（所有引脚）
- CDM：±500 V（所有引脚）
- 导通时间和关断时间（50% V1或V2至10%至90%的RFOUT）：60 ns
- 0.1 dB RF建立时间（50% V1或V2至0.1dB最终 RFOUT）：110 ns
- 无低频杂散
- 30引脚、4 mm × 3 mm LGA封装
产品详情和应用
ADRF5060是一款带旁路功能的双向非反射式RF路径选择器SP3T，采用绝缘硅(SOI)工艺制造。
ADRF5060的工作频率范围为100 MHz至20 Ghz，直通路径上的插入损耗低于1.3 dB，同时具有高于42 dB的隔离性能。ADRF5060的外部路径、端接路径和RFIN或RFOUT端口热切换分别具有33 dBm、18 dBm和30 dBm的RF输入功率处理能力。
ADRF5060需要+3.3 V至-3.3 V的双电源电压。当负电源引脚(VSS)接地时，该器件也可在单一正电源电压(VDD)下工作。在此工作条件下，可在降低开关特性、线性度和功率处理性能的同时保持小信号性能（参阅数据手册中的图2）。
ADRF5060采用兼容互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)的控件。
ADRF5060有三个数字输入引脚（V1、V2和XC），用于控制数字开关状态，包括全关断状态和用于交叉端口选择的附加控制。更多信息请参见“工作原理”部分。
ADRF5060采用4 mm × 3 mm LGA封装。
应用
- 测试仪器仪表
- 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)
- 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
