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特性

• 反射式 50 Ω 设计
• 低插入损耗：0.7 dB（典型值）至 2.0 GHz
• T_CASE = 105°C 下具有高功率处理能力
  • 长期（>10 年）平均值
    • 连续波功率：43 dBm
    • 峰值功率：49 dBm
    • LTE 平均功率 (8 dB PAR)：41 dBm
  • 单一事件（<10 秒）平均值
    • LTE 平均功率 (8 dB PAR)：44 dBm
• 高线性度
  • P0.1dB：47 dBm（典型值）
  • IP3：70 dBm（典型值）
• ESD 额定值
  • HBM：4 kV（3A 级）
  • CDM：1.25 kV
• 单一正电源：5 V
• 正控制，CMOS/TTL 兼容
• 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装

产品详情和应用

ADRF5160 是一款硅基高功率 0.7 GHz 到 4.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) 反射开关，采用无引线的表面安装式封装。此开关适用于高功率和蜂窝基础设施应用，例如长期演进 (LTE) 基站。ADRF5160 具有 41 dBm 的高功率处理能力（长期（>10 年）典型平均值 8 dB PAR LTE）、0.7 dB（典型值）至 2.0 GHz 的低插入损耗、70 dBm 的输入 3 阶交调点 (IP3)（典型值）和 47 dBm 的 0.1 dB 压缩点 (P0.1dB)。片内电路使用 5 V 的单一正电源工作，典型电源电流为 1.1 mA，使得 ADRF5160 成为基于 Pin 二极管的开关的理想替代方案。

ADRF5160 采用符合 RoHS 指令的紧凑式 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装。

应用

• 无线基础设施
• 军事和高可靠性应用
• 测试设备
• Pin 二极管替代方案