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量产
ADI亚德诺 HMC774A-DIE 产品介绍
2026-03-09
0次
特性
- 下变频器
- 变频损耗
- 10.5 dB（典型值，7 GHz至22 GHz）
- 11 dB（典型值，22 GHz至40 GHz）
- LO至RF隔离
- 34 dB（典型值，7 GHz至22 GHz）
- 32 dB（典型值，22 GHz至40 GHz）
- LO至IF隔离
- 32 dB（典型值，7 GHz至22 GHz）
- 50 dB（典型值，22 GHz至40 GHz）
- LO至IF隔离
- 14 dB（典型值，7 GHz至22 GHz）
- 29 dB（典型值，22 GHz至40 GHz）
- 变频损耗
- IP3：20 dBm（典型值）
- IP2：40 dBm（典型值）
- 针对P1dB的输入功率
- 11 dBm（典型值，7 GHz至22 GHz）
- 12 dBm（典型值，22 GHz至40 GHz）
- IF频率范围：DC至10
- 无源，无需直流偏置
- 小尺寸：1.38 mm × 0.81 mm × 0.102 mm
产品详情和应用
HMC774A是一款通用型砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、双平衡混频器芯片，可用作7 GHz至40 GHz频率范围内的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。
HMC774A采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)抑制性能。该混频器采用13 dBm的LO驱动电平工作，具备出色的性能。HMC774A还可作为表贴技术形式的HMC774ALC3B提供。
应用
- 点对点无线电
- 点对多点无线电和甚小孔径终端(VSAT)
- 测试设备和传感器
- 军用最终用途
