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HMC292A-DIE

量产

14 GHz至32 GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器

ADI亚德诺 HMC292A-DIE 产品介绍
2026-03-09 0次

特性


  • 无源: 无需直流偏置
  • 转换损耗(下变频器):9 dB(典型值,14 GHz至30 GHz时)
  • 单边带噪声指数:11 dB(典型值,14 GHz至30 GHz时)
  • 输入IP3(下变频器):20 dBm(典型值,14 GHz至30 GHz时)
  • 输入P1dB压缩点(下变频器):12 dBm(典型值,14 GHz至30 GHz时)
  • 输入IP2:53 dBm(典型值,14 GHz至30 GHz时)
  • RF至IF隔离:30 dB(典型值,14 GHz至30 GHz时)
  • LO至RF隔离:46 dB(典型值,14 GHz至30 GHz时)
  • LO至IF隔离:34 dB(典型值,14 GHz至30 GHz时)
  • RF回波损耗:10 dB(典型值,14 GHz至30 GHz时)
  • LO回波损耗:9 dB(典型值,14 GHz至30 GHz时)
  • 宽IF频率范围:DC至8 GHz
  • 小尺寸:7焊盘裸片[芯片]


产品详情和应用


HMC292A芯片是一款微型、无源、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、双平衡混频器,可用作14 GHz至32 GHz RF频率范围内的上变频器或下变频器,芯片面积较小。片内巴伦提供出色的隔离性能,无需外部元件和直流偏置。所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.076 mm(0.003英寸)、最小长度小于0.31 mm(小于0.012英寸)的焊线连接。

应用

  • 微波和甚小孔径终端(VSAT)无线电
  • 测试设备
  • 点对点无线电
  • 军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)、以及指挥、控制、通信和情报(C3I)

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